IEEE Transactions On Electron Devices
國際簡稱：IEEE T ELECTRON DEV
Ieee Transactions On Electron Devices
SCIE
按雜志級別劃分： 中科院1區 中科院2區 中科院3區 中科院4區
- ISSN：0018-9383
- 創刊時間：1954
- 是否預警：否
- E-ISSN：1557-9646
- 出版地區：UNITED STATES
- 是否OA：未開放
- 出版語言：English
- 出版周期：Monthly
- 影響因子：2.9
- 出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
- 審稿周期： 約4.7個月
- CiteScore：5.8
- H-index：165
- 出版國人文章占比：0.22
- 開源占比：0.0674
- 文章自引率：0.1612...
Ieee Transactions On Electron Devices雜志簡介
Ieee Transactions On Electron Devices是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商主辦的工程技術領域的專業學術期刊，自1954年創刊以來，一直以高質量的內容贏得業界的尊重。該期刊擁有正式的刊號（ISSN：0018-9383，E-ISSN：1557-9646），出版周期Monthly，其出版地區設在UNITED STATES。該期刊的核心使命旨在推動工程技術專業及PHYSICS, APPLIED學科界的教育研究與實踐經驗的交流，發表同行有創見的學術論文，提倡學術爭鳴，激發學術創新，開展國際間學術交流，為工程技術領域的發展注入活力。
該期刊文章自引率0.1612...，開源內容占比0.0674，出版撤稿占比0，OA被引用占比0.0017...，讀者群體主要包括工程技術的專業人員，研究生、本科生以及工程技術領域愛好者，這些讀者群體來自全球各地，具有廣泛的學術背景和興趣。Ieee Transactions On Electron Devices已被國際權威學術數據庫“ SCIE（Science Citation Index Expanded） ”收錄，方便全球范圍內的學者和研究人員檢索和引用，有助于推動PHYSICS, APPLIED領域的研究進展和創新發展。
收錄信息
CiteScore（2024年最新版）
- CiteScore：5.8
- SJR：0.785
- SNIP：1.223
| 學科類別 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 221 / 797 |
72% |
| 大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 82 / 284 |
71% |
CiteScore: 這一創新指標力求提供更為全面且精確的期刊評估，打破了過去僅依賴單一指標如影響因子的局限。它通過綜合廣泛的引用數據，跨越多個學科領域，從而確保了更高的透明度和開放性。作為Scopus中一系列期刊指標的重要組成部分，包括SNIP（源文檔標準化影響）、SJR（SCImago雜志排名）、引用文檔計數以及引用百分比。Scopus整合以上指標，幫助研究者深入了解超過22,220種論著的引用情況。您可在Scopus Joumal Metrics website了解各個指標的詳細信息。
CiteScore分區值與影響因子值數據對比
Ieee Transactions On Electron Devices中科院分區表
中科院分區 2023年12月升級版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 2區 | PHYSICS, APPLIED 物理：應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區 3區 | 否 | 否 |
中科院分區 2022年12月升級版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 2區 | PHYSICS, APPLIED 物理：應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區 3區 | 否 | 否 |
中科院分區 2021年12月舊的升級版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 2區 | PHYSICS, APPLIED 物理：應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區 3區 | 否 | 否 |
中科院分區 2021年12月基礎版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 3區 3區 | 否 | 否 |
中科院分區 2021年12月升級版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 2區 | PHYSICS, APPLIED 物理：應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區 3區 | 否 | 否 |
中科院分區 2020年12月舊的升級版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 2區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 2區 2區 | 是 | 否 |
中科院分區表歷年分布趨勢圖
WOS期刊JCR分區（2023-2024年最新版）
| 按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 143 / 352 |
59.5% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 68 / 179 |
62.3% |
| 按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 145 / 354 |
59.18% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 61 / 179 |
66.2% |
JCR（Journal Citation Reports）分區，也被稱為JCR期刊分區，是由湯森路透公司（現在屬于科睿唯安公司）制定的一種國際通用和公認的期刊分區標準。JCR分區基于SCI數據庫，按照期刊的影響因子進行排序，按照類似等分的方式將期刊劃分為四個區：Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是，JCR分區的標準與中科院JCR期刊分區（又稱分區表、分區數據）存在不同之處。例如，兩者的分區數量不同，JCR分為四個區，而中科院分區則分為176個學科，每個學科又按照影響因子高低分為四個區。此外，兩者的影響因子取值范圍也存在差異。
歷年發文數據
| 年份 | 年發文量 |
| 2014 | 629 |
| 2015 | 633 |
| 2016 | 737 |
| 2017 | 759 |
| 2018 | 789 |
| 2019 | 802 |
| 2020 | 878 |
| 2021 | 1129 |
| 2022 | 1093 |
| 2023 | 1084 |
期刊互引關系
| 被他刊引用情況 | |
| 期刊名稱 | 引用次數 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 3214 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 865 |
| JPN J APPL PHYS | 565 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 499 |
| SOLID STATE ELECTRON | 431 |
| IEEE ACCESS | 422 |
| SEMICOND SCI TECH | 412 |
| J APPL PHYS | 400 |
| APPL PHYS LETT | 388 |
| J COMPUT ELECTRON | 284 |
| 引用他刊情況 | |
| 期刊名稱 | 引用次數 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 3214 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1587 |
| APPL PHYS LETT | 1366 |
| J APPL PHYS | 866 |
| SOLID STATE ELECTRON | 384 |
| PHYS REV B | 305 |
| ADV MATER | 238 |
| MICROELECTRON RELIAB | 235 |
| NANO LETT | 209 |
| ACS APPL MATER INTER | 195 |
