晶體生長雜志
國際簡稱:J CRYST GROWTH
按雜志級別劃分: 中科院1區(qū) 中科院2區(qū) 中科院3區(qū) 中科院4區(qū)
Journal Of Crystal Growth是由Elsevier出版商主辦的材料科學(xué)領(lǐng)域的專業(yè)學(xué)術(shù)期刊,自1967年創(chuàng)刊以來,一直以高質(zhì)量的內(nèi)容贏得業(yè)界的尊重。該期刊擁有正式的刊號(ISSN:0022-0248,E-ISSN:1873-5002),出版周期Biweekly,其出版地區(qū)設(shè)在NETHERLANDS。該期刊的核心使命旨在推動(dòng)材料科學(xué)專業(yè)及CRYSTALLOGRAPHY學(xué)科界的教育研究與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的交流,發(fā)表同行有創(chuàng)見的學(xué)術(shù)論文,提倡學(xué)術(shù)爭鳴,激發(fā)學(xué)術(shù)創(chuàng)新,開展國際間學(xué)術(shù)交流,為材料科學(xué)領(lǐng)域的發(fā)展注入活力。
該期刊文章自引率0.1111...,開源內(nèi)容占比0.0379,出版撤稿占比0,OA被引用占比0.0202...,讀者群體主要包括材料科學(xué)的專業(yè)人員,研究生、本科生以及材料科學(xué)領(lǐng)域愛好者,這些讀者群體來自全球各地,具有廣泛的學(xué)術(shù)背景和興趣。Journal Of Crystal Growth已被國際權(quán)威學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫“ SCIE(Science Citation Index Expanded) ”收錄,方便全球范圍內(nèi)的學(xué)者和研究人員檢索和引用,有助于推動(dòng)CRYSTALLOGRAPHY領(lǐng)域的研究進(jìn)展和創(chuàng)新發(fā)展。
學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
大類:Physics and Astronomy 小類:Condensed Matter Physics | Q2 | 205 / 434 |
52% |
大類:Physics and Astronomy 小類:Inorganic Chemistry | Q2 | 40 / 79 |
50% |
大類:Physics and Astronomy 小類:Materials Chemistry | Q3 | 162 / 317 |
49% |
CiteScore: 這一創(chuàng)新指標(biāo)力求提供更為全面且精確的期刊評估,打破了過去僅依賴單一指標(biāo)如影響因子的局限。它通過綜合廣泛的引用數(shù)據(jù),跨越多個(gè)學(xué)科領(lǐng)域,從而確保了更高的透明度和開放性。作為Scopus中一系列期刊指標(biāo)的重要組成部分,包括SNIP(源文檔標(biāo)準(zhǔn)化影響)、SJR(SCImago雜志排名)、引用文檔計(jì)數(shù)以及引用百分比。Scopus整合以上指標(biāo),幫助研究者深入了解超過22,220種論著的引用情況。您可在Scopus Joumal Metrics website了解各個(gè)指標(biāo)的詳細(xì)信息。
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學(xué) | 4區(qū) | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學(xué) | 3區(qū) | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學(xué) | 3區(qū) | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 | 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理 | 4區(qū) | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學(xué) | 3區(qū) | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 | 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學(xué) | 3區(qū) | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 | 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:CRYSTALLOGRAPHY | SCIE | Q3 | 17 / 33 |
50% |
學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 321 / 438 |
26.8% |
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 125 / 179 |
30.4% |
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:CRYSTALLOGRAPHY | SCIE | Q3 | 19 / 33 |
43.94% |
學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 249 / 438 |
43.26% |
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 104 / 179 |
42.18% |
JCR(Journal Citation Reports)分區(qū),也被稱為JCR期刊分區(qū),是由湯森路透公司(現(xiàn)在屬于科睿唯安公司)制定的一種國際通用和公認(rèn)的期刊分區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。JCR分區(qū)基于SCI數(shù)據(jù)庫,按照期刊的影響因子進(jìn)行排序,按照類似等分的方式將期刊劃分為四個(gè)區(qū):Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是,JCR分區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)與中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))存在不同之處。例如,兩者的分區(qū)數(shù)量不同,JCR分為四個(gè)區(qū),而中科院分區(qū)則分為176個(gè)學(xué)科,每個(gè)學(xué)科又按照影響因子高低分為四個(gè)區(qū)。此外,兩者的影響因子取值范圍也存在差異。
年份 | 年發(fā)文量 |
2014 | 703 |
2015 | 559 |
2016 | 526 |
2017 | 789 |
2018 | 404 |
2019 | 473 |
2020 | 446 |
2021 | 320 |
2022 | 394 |
2023 | 306 |
被他刊引用情況 | |
期刊名稱 | 引用次數(shù) |
J CRYST GROWTH | 1755 |
JPN J APPL PHYS | 812 |
CRYST GROWTH DES | 605 |
J ALLOY COMPD | 513 |
MATER RES EXPRESS | 487 |
J APPL PHYS | 461 |
J MATER SCI-MATER EL | 427 |
CRYSTALS | 383 |
CRYSTENGCOMM | 371 |
CERAM INT | 336 |
引用他刊情況 | |
期刊名稱 | 引用次數(shù) |
J CRYST GROWTH | 1755 |
APPL PHYS LETT | 945 |
J APPL PHYS | 602 |
PHYS REV B | 427 |
CRYST GROWTH DES | 279 |
PHYS REV LETT | 202 |
JPN J APPL PHYS | 175 |
ACTA MATER | 150 |
APPL PHYS EXPRESS | 147 |
NANO LETT | 142 |