半導體工藝培訓精選(九篇)
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第1篇：半導體工藝培訓范文
二年以上工作經驗|男|24歲（1990年6月26日）
居住地：西安
電 話：187********（手機）
E-mail：
最近工作 [ 1年5月]
公 司：XXX微電子有限公司
行 業：計算機/互聯網/通信/電子
職 位：制程工程師
最高學歷
學 歷：本科
?！I：半導體信息
學 校：西安理工大學
自我評價
以認真的態度刻苦完成基礎知識的學習，成績良好，對于本專業的課程，特別是電子線路，微波技術，半導體物理學，微電子學，超大規模集成電路，ASIC，等課程充滿濃厚的興趣，成績優秀，并在學習的過程中找到了適合自己的學習方法，具備了一定的學習能力和研究能力。
求職意向
到崗時間：一個月之內
工作性質：全職
希望行業：計算機/互聯網/通信/電子
目標地點：西安
期望月薪：面議/月
目標職能：制程工程師
工作經驗
2013 /7—至今：XXX微電子有限公司[1年5個月]
所屬行業： 計算機/互聯網/通信/電子
制程部制程工程師
1、與客戶進行應用技術交流，提供應用技術方案與支持服務，提升服務品牌;
2、制定和編制激光切割、剪板、鋸、折彎等下料工藝，指導下料技術和提升下料制作質量，并對下料操作員工進行技能知識培訓;
3、參與同步工程及工藝項目研究，優化改善現場制程，協助確立項目跟進及新產品開發、應用;
4、協調和服務建筑工地混凝土施工過程中有關技術、質量等方面的工作，審核工地開盤資料及交工資料;
2012 /7—2013 /7：XXX理工大學[1年]
所屬行業： 軟件
課題組課題組組長
1. 獨立的熟練的完成了微波技術，電子線路，信息物理學等課程的試驗。
2. 微波通信系統的專題實驗－波導系統通信。
3. 在短學期中制作并調試了音頻功率放大器，進行了半導體工藝的實習。
4. 目前正在進行半導體工藝中薄層電阻測試儀的設計與制作的專題實驗。
教育經歷
2007/9—2011 /6 西安理工大學 半導體信息 本科
證 書
2009/6 大學英語六級
2008/6 大學英語四級
第2篇：半導體工藝培訓范文
電容－電壓(C-V)測試廣泛用于測量半導體參數，尤其是MOSCAP和MOSFET結構。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導體器件和工藝進行特征分析，包括雙極結型晶體管(8JT)、JFET、Ⅲ-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機TFT顯示器。光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導體器件。
這類測量的基本特征非常適用于各種應用和培訓。大學的研究實驗室和半導體廠商利用這類測量評測新材料、新工藝，新器件和新電路。C-V測量對于產品和良率增強工程師也是極其重要的，他們負責提高工藝和器件的性能?？煽啃怨こ處熇眠@類測量評估材料供貨，監測工藝參數，分析失效機制。
采用一定的方法、儀器和軟件，可以得到多種半導體器件和材料的參數。從評測外延生長的多晶開始，這些信息在整個生產鏈中都會用到，包括諸如平均摻雜濃度、摻雜分布和載流子壽命等參數。在圓片工藝中，C-V測量可用于分析柵氧厚度、柵氧電荷、游離子(雜質)和界面阱密度。在后續的工藝步驟中也會用到這類測量，例如光刻、刻蝕、清洗、電介質和多晶硅沉積、金屬化等。當在圓片上完全制造出器件之后，在可靠性和基本器件測試過程中可以利用C-V測量對閾值電壓和其他一些參數進行特征分析，對器件性能進行建模。
半導體電容的物理特性
MOSCAP結構是在半導體制造過程中形成的一種基本器件結構(如圖1所示)。盡管這類器件可以用于真實電路中，但是人們通常將其作為一種測試結構集成在制造工藝中。由于這種結構比較簡單而且制造過程容易控制，因此它們是評測底層工藝的一種方便的方法。
圖1中的金屬/多晶層是電容的一極，二氧化硅是絕緣層。由于絕緣層下面的襯底是一種半導體材料，因此它本身并不是電容的另一極。實際上，其中的多數載流子是電容的另一極。物理上而言，電容C可以通過下列公式中的變量計算出來：
C=A(κ/d)，其中A是電容的面積，κ是絕緣體的介電常數，d是兩極的間距。
因此，A和κ越大，絕緣體厚度越薄，電容值就越高。通常而言，半導體電容的大小范圍從幾納法到幾皮法，甚至更小。
進行C-V測量時要在電容的兩極加載直流偏壓同時利用一個交流信號進行測量(如圖1所示)。通常情況下，這類測量使用的交流頻率范圍從10kHz～10MHz。所加載的偏壓作為直流電壓掃描驅動MOSCAP結構從累積區進入耗盡區，然后進入反型區(如圖2所示)。
強大的直流偏壓導致襯底中的多數載流子在絕緣層界面附近累積。由于它們無法穿透絕緣層，因此當電荷積累在界面附近(即d為最小值)時電容在累積區達到最大值。如圖1所示。從C-V累積測量可以得到的一個基本參數就是二氧化硅的厚度tox。
當偏壓降低時，多數載流子從氧化層界面被排斥開，耗盡區形成。當偏壓反相時，電荷載流子遠離氧化層達到最大距離，電容達到最小值(即d為最大值)。根據這時的反型區電容，可以推算出多數載流子的數量。這一基本原理同樣適用于MOSFET晶體管，只是它們的物理結構和摻雜更加復雜。
在偏壓掃過這三個區的過程中還可以得到多種其他參數，如圖2所示。利用不同的交流信號頻率可以得到其他細節信息。低頻可以揭示所謂的準靜態特征，而高頻測試則可以表現出動態性能。這兩類C-V測試通常都是需要的。
基本測試配置
圖3給出了基本C-V測量配置的框圖。由于C-V測量實際上是在交流頻率下進行的，因此待測器件(DUT)的電容可以根據下列公式計算得到：
CDUT=IDUT/2πfVac，其中IDUT是流過DUT的交流電流幅值，f是測試頻率，Vac是測得的交流電壓的幅值和相角。
換而言之，這種測試通過加載交流電壓然后測量產生的交流電流、交流電壓和它們之間的阻抗相角，最終測出DUT的交流阻抗。
這些測量考慮了與電容相關的串聯與并聯電阻，以及耗散因子(漏流)。圖4給出了這類測量可以測出的主要電路變量。
其中：Z=阻抗；D=耗散因子；θ=相角；R=電阻；X=電抗；G=電導
成功C-V測量的挑戰
C-V測試配置的框圖雖然看上去非常簡單，但是這種測試卻具有一定的挑戰。一般而言，測試人員在下面幾個方面會遇到麻煩：
?低電容測量(皮法和更小的值)
?C-V測試儀器與圓片器件的連接
?漏電容(高D)的測量
?利用硬件和軟件采集數據
?參數提取
克服這些挑戰需要仔細注意所用的技術以及合適的硬件和軟件。
低電容測量。如果C較小，那么DUT的交流響應電流就較低，難以測量。但是，在較高的頻率下，DUT阻抗將減小，從而電流會增大，比較容易測量。半導體電容通常非常低(低于1pF)，低于很多LCR表的測量范圍。即使那些聲稱能夠測量這些小電容值的測試儀可能也會由于說明書晦澀難懂而很難判斷最終的測量精度。如果無法明確給出測試儀整個量程的精度，那么用戶需要因此而咨詢制造商。
高D(漏)電容。半導體電容除了C值較低之外，還具有泄漏的特點。當與電容并聯的等價電阻太低時就會出現這種情況。這會導致電阻性阻抗超過電容性阻抗，C值被噪聲所淹沒。對于具有超薄柵氧層的器件，D的值可能大于5。一般而言，隨著D的增大，電容測量的精度迅速下降，因此高D是實際使用電容計的一個限制因素。同樣，較高的頻率有助于解決這一問題。在較高的頻率下，電容性阻抗較低，使得電容電流較高，更容易進行測量。
C-V測量的互連。大多數測試環境下，DUT都是圓片上的一個測試結構：它通過探測器、探針卡適配器和開關矩陣連接C-V測試儀。即使沒有開關，仍然也會使用探測器和大量的連線。在較高的頻率下，必須采用特殊的校正和補償技術。通常情況下，這是通過組合使用開路、短路或者校準器件來實現的。由于硬件，布線和補償技術非常復雜，因此經常與C-V測試應用工程師進行交流是一個好的辦法。他們擅長使用各種探測系統，克服各種互連問題。
獲取有用的數據。除了上述的精度問題，C-V數據采集中實際需要考慮的因素包括測試變量的儀器量程，參數提取軟件的多功能性和硬件的易用性。一般而言，C-V測試已僅限于約30V和10mA直流偏壓。但是，很多應用，例如LDMOS結構的特征分析、低k夾層電介質、MEMS器件、有機TFT顯示器和光電二極管，需要在較高的電壓或電流下進行測試。對于這些應用，需要單獨的高壓直流電源和電容計；高達400V的差分直流偏壓(0到士400V)和高達300mA的電流輸出是非常有用的。在C-V測試儀的Hl和LO端加載差分直流偏壓能夠更靈活地控制DUT內的電場，這對于新型器件的研究和建模是非常有用的，例如納米級元件。
儀用軟件應該包括無需用戶編程可直接使用的測試例程。這些應該適用于大多數廣泛使用的器件工藝和測試技術，即本文前三段中提及的有關內容。有些研究者可能會對一些不常見的測試感興趣，例如對MIM(金屬一絕緣體一金屬)型電容進行C-V和C-f掃描，測量圓片上的互連小電容，或者對雙端納米器件進行C-V掃描。利用自動繪圖功能能夠方便的實現參數提取(例如，如圖5所示)。
通常，人們都希望工程技術人員和研究人員在幾乎沒有任何儀器使用經驗或培訓的情況下就能夠進行C-V測量。具有直觀用戶界面和簡單易用特征的測試系統使得這一點成為現實。其中包括簡單的測試配置、序列控制和數據分析。否則，用戶在掌握系統方面就要比采集和使用數據花費更多的時間。對測試系統其它考慮因素包括：
?緊密集成的源一測量單元、數字示波器和C-V表
?方便集成其他外部儀器
?基于探針的高分辨率和高精度測量(直流偏壓低至毫伏級，電容測量低至飛法級)
第3篇：半導體工藝培訓范文
目前所在： 花都區 年 齡： 30
戶口所在： 湖北 國 籍： 中國
婚姻狀況： 未婚 民 族：
培訓認證： 未參加 身 高： 158 cm
誠信徽章： 未申請 體 重： 49 kg
人才 測評： 未測評
我的特長：
求職 意向
人才 類型： 普通 求職
應聘職位： 生產經理/車間主任：生產經理
工作年限： 8 職 稱：
求職 類型： 全職 可到職日期： 隨時
月薪要求： 3500--5000 希望工作地區： 廣州,,
工作經歷
公司性質： 私營企業 所屬行業：電子技術/半導體/集成電路
擔任職位： 生產經理
工作描述： 公司主要生產LED超薄面板燈、LED嵌入式面板燈、豆膽燈等，公司規模有120人，我的主要工作內容有：月生產計劃、干部培訓考核，整個公司生產人員調配、生產進度跟進、生產人員團隊建設、品質異常處理與跟進，報表的的審核、處理生產中發生的一些特殊問題等工作。
離職原因：
佛山***照明電器有限公司 起止年月：2008-05 ～ 2010-06
公司性質： 外商獨資 所屬行業：電子技術/半導體/集成電路
擔任職位： 生產主任
工作描述： 公司主要生產LED節能燈、熒光節能、汽車燈、鹵素燈、PAR燈等等，我負責LED節能車間約100人，主要工作內容包括月生產計劃、工藝流程的監控及修改、品質要求、團隊建設、品質異常處理、報表的審核（日報表、計件工資表、檢驗反饋單、月品質異常圖）
離職原因：
***電子科技有限公司作生產部主管 起止年月：2007-03 ～ 2008-05
公司性質： 民營企業 所屬行業：電子技術/半導體/集成電路
擔任職位： 生產主管
工作描述： 司主要生產LED發光極管，主要用于發光玩具、戶外顯示屏等、車間約60人主要工作內容包括生產計劃、作業指導書的制定、品質異常的分析及處理、人員團隊的建設、LED芯片的采購、工藝流程的監控及修改、報表的審核等。
離職原因：
廣州***電子科技有限公司 起止年月：2002-04 ～ 2007-03
公司性質： 外商獨資 所屬行業：
擔任職位：
工作描述： 公司生產發光玩具和飾品我主要負責產品品質監控，制定QC工程圖、檢驗標準及月品質異常圖、品質異常處理、日報表的審核、員工品質意識的宣導程序文件的制定、LED芯片的采購、主持召開品質會議等，獲得資格證書：IS09001內部質量審核員證書。
教育經歷
離職原因：
教育背景
畢業院校： 湖北襄樊學院
最高學歷： 大專 獲得學位: 畢業日期： 2002-07
專 業 一： 計算機與應用 專 業 二：
起始年月 終止年月 學校（機構） 所學專業 獲得證書 證書編號
語言能力
外語： 英語 一般 粵語水平：
其它外語能力：
國語水平：
第4篇：半導體工藝培訓范文
關鍵詞：微電子學；實驗室建設；教學改革；
1微電子技術的發展背景
美國工程技術界在評出20世紀世界最偉大的20項工程技術成就中第5項——電子技術時指出：“從真空管到半導體，集成電路已成為當代各行各業智能工作的基石”。微電子技術發展已進入系統集成(SOC—SystemOnChip)的時代。集成電路作為最能體現知識經濟特征的典型產品之一，已可將各種物理的、化學的和生物的敏感器(執行信息獲取功能)和執行器與信息處理系統集成在一起，從而完成從信息獲取、處理、存儲、傳輸到執行的系統功能。這是一個更廣義的系統集成芯片，可以認為這是微電子技術又一次革命性變革。因而勢必大大地提高人們處理信息和應用信息的能力，大大地提高社會信息化的程度。集成電路產業的產值以年增長率≥15%的速度增長，集成度以年增長率46%的速率持續發展，世界上還沒有一個產業能以這樣的速度持續地發展。2001年以集成電路為基礎的電子信息產業已成為世界第一大產業。微電子技術、集成電路無處不在地改變著社會的生產方式和人們的生活方式。我國信息產業部門準備充分利用經濟高速發展和巨大市場的優勢，精心規劃，重點扶持，力爭通過10年或略長一段時間的努力，使我國成為世界上的微電子強國。為此，未來十年是我國微電子技術發展的關鍵時期。在2010年我國微電子行業要實現下列四個目標：
(1)微電子產業要成為國民經濟發展新的重要增長點和實現關鍵技術的跨越。形成2950億元的產值，占GDP的1.6%、世界市場的4%，國內市場的自給率達到30%，并且能夠拉動2萬多億元電子工業產值。從而形成了500~600億元的純利收入。
(2)國防和國家安全急需的關鍵集成電路芯片能自行設計和制造。
(3)建立起能夠良性循環的集成電路產業發展、科學研究和人才培養體系。
(4)微電子科學研究和產業的標志性成果達到當時的國際先進水平。
在這一背景下，隨著國內外資本在微電子產業的大量投入和社會對微電子產品需求的急驟增加，社會急切地需要大量的微電子專門人才，僅上海市在21世紀的第一個十年，就需要微電子專門人才25萬人左右，而目前尚不足2萬人。也正是在這一背景下，1999年以來，全國高校中新開辦的微電子學專業就有數十個。2002年8月教育部全國電子科學與技術專業教學指導委員會在貴陽工作會議上公布的統計數據表明，相當多的高校電子科學與技術專業都下設了微電子學方向。微電子技術人才的培養已成為各高校電子信息人才培養的重點。
2微電子學專業實驗室建設的緊迫性
我國高校微電子學專業大部分由半導體器件或半導體器件物理專業轉來，這些專業的設立可追溯到20世紀50年代后期。辦學歷史雖長，但由于多年來財力投入嚴重不足，而微電子技術發展迅速，國內大陸地區除極個別學校外，其實驗教學條件很難滿足要求。高校微電子專業實驗室普遍落后的狀況，已成為制約培養合格微電子專業人才的瓶頸。
四川大學微電子學專業的發展同國內其它院校一樣走過了一條曲折的道路。1958年設立半導體物理方向(專門組)，在其后的40年中，專業名稱幾經變遷，于1998年調整為微電子學。由于社會需求強勁，1999年微電子學專業擴大招生數達90多人，是以往招生人數的2倍。當時，我校微電子學專業的辦學條件與微電子學學科發展的要求形成了強烈反差：實驗室設施陳舊、容量小，教學大綱中必需的集成電路設計課程和相應實驗幾乎是空白；按照新的教學計劃，實施新課程和實驗的時間緊迫，基本設施嚴重不足；教師結構不合理，專業課程師資缺乏。
在關系到微電子學專業能否繼續生存的關鍵時期，學校組織專家經過反復調研、論證，及時在全校啟動了“523實驗室建設工程”。該工程計劃在3~5年時間內，籌集2~3億資金，集中力量創建5個適應多學科培養創新人才的綜合實驗基地；重點建設20個左右基礎(含專業及技術基礎)實驗中心(室)；調整組合、合理配置、重點改造建設30個左右具有特色的專業實驗室。“523實驗室建設工程”的啟動，是四川大學面向21世紀實驗教學改革和實驗室建設方面的一個重要跨越。學校將微電子學專業實驗室的建設列入了“523實驗室建設工程”首批重點支持項目，2000年12月開始分期撥款275萬元，開始了微電子學專業實驗室的建設。怎樣將有限的資金用好，建設一個既符合微電子學專業發展方向，又滿足本科專業培養目標要求的微電子學專業實驗室成為我們學科建設的重點。
3實驗室建設項目的實施
3.1整體規劃和目標的確立
微電子技術的發展要求我們的實驗室建設規劃、實驗教改方案、人才培養目標必須與其行業發展規劃一致，既要腳踏實地，實事求是，又必須要有前瞻性。尤其要注意國際化人才的培養。微電子的人才培養若不能實現國際化，就不能說我們的人才培養是成功的。
基于這樣的考慮，在調查研究的基礎上，我們將實驗室建設整體規劃和目標確定為：建立國內一流的由微電子器件平面工藝與器件參數測試綜合實驗及超大規模集成電路芯片設計綜合實驗兩個實驗系列構成的微電子學專業實驗體系，既滿足微電子學專業教學大綱要求，又適應當今國際微電子技術及其教學發展需求的多功能的、開放性的微電子教學實驗基地。我們的目標是：
(1)建立有特色的教學體系——微電子工藝與設計并舉，強化理論基礎、強化綜合素質、強化能力培養。
(2)保證寬口徑的同時，培養專業技能。
(3)建立開放型實驗室，適應跨學科人才的培養。
(4)在全國微電子學專業的教學中具有一定的先進性。
實踐中我們認識到，要實現以上目標、完成實驗室建設，必須以教學體系改革、教材建設為主線開展工作。
3.2重組實驗教學課程體系，培養學生的創新能力和現代工業意識
實驗課程體系建設的總體思路是培養創造性人才。實驗的設置要讓學生成為實驗的主角和與專業基礎理論學習相聯系的主動者，能激發學生的創造性，有專業知識縱向和橫向自主擴展和創新的余地。因此該實驗體系將是開放式的、有層次的和與基礎課及專業基礎課密切配合的。實驗教學的主要內容包括必修、選修和自擬項目。我們反復認真研究了教育部制定的本科微電子學專業培養大綱及國際上對微電子學教學提出的最新基本要求。根據專業的特點，充分考慮目前國內大力發展集成電路生產線(新建線十條左右)和已成立近百家集成電路設計公司對人才的強烈需求，為新的微電子專業教學制定出由以下兩個實驗系列構成的微電子學專業實驗體系。
(1)微電子器件平面工藝與器件參數測試綜合實驗。
這是微電子學教學的重要基礎內容，也是我校微電子學教學中具有特色的實驗課程。這一實驗系列將使學生了解和初步掌握微電子器件的主要基本工藝，工藝參數的控制方法和工藝質量控制的主要檢測及分析方法，深刻地了解成品率在微電子產品生產中的重要性。同時，半導體材料特性參數的測試分析系列實驗是配合“半導體物理”和“半導體材料”課程而設置的基本實驗，通過整合，實時地與器件工藝實驗配合，雖增加了實驗教學難度，卻使學生身臨其境直觀地掌握了工藝對參數的影響、參數反饋對工藝的調整控制、了解半導體重要參數的測試方法并加深對其相關物理內涵的深刻理解。這樣的綜合實驗，對于學生深刻樹立產品成品率，可靠性和生產成本這一現代工業的重要意識是必不可少的。
(2)超大規模集成電路芯片設計綜合實驗。
這是微電子學教學的重點基礎之一。教學目的是掌握超大規模集成電路系統設計的基本原理和規則，初步掌握先進的超大規模集成電路設計工具。該系列的必修基礎實驗共80學時，與之配套的講授課程為“超大規模集成電路設計基礎”。除此而外，超大規模集成電路測試分析和系統開發實驗不僅是與“超大規模集成電路原理”和“電路系統”課程套配，使學生更深刻的理解和掌握集成電路的特性；同時也是與前一系列實驗配合使學生具備自擬項目和獨立創新的理論及實驗基礎。
3.3優化設施配置，爭取項目最佳成效
由于項目實施的時間緊迫、資金有限。我們非常謹慎地對待每一項實施步驟。力圖實現設施的優化配置，使項目產生最佳效益。最終較好地完成了集成電路設計實驗體系和器件平面工藝實驗體系的實施。具體內容包括：
(1)集成電路設計實驗體系。集成電路設計實驗室機房的建立——購買CADENCE系統軟件(IC設計軟件)、ZENILE集成電路設計軟件；集成電路設計實驗課程體系由EDA課程及實驗、FPGA課程及實驗、PSPICE電路模擬及實驗、VHDL課程及實驗、ASIC課程及實驗、IC設計課程及實驗等組成。
(2)器件平面工藝實驗體系和相關參數測試分析實驗。結合原有設備新購并完善平面工藝實驗系統，包括：硼擴、磷擴、氧化、清洗、光刻、金屬化等；與平面工藝同步的平面工藝參數測試，包括：方塊電阻、C-V測試(高頻和準靜態)、I-V測試、Hall測試、膜厚測試(ELLIPSOMETRY)及其它器件參數測試(實時監控了解器件參數，反饋控制工藝參數)；器件、半導體材料物理測試設備，如載流子濃度、電阻率、少子壽命等。
(3)與實驗室硬件建設配套的軟件建設和環境建設。實驗室環境建設、實驗室崗位設置、實驗課程的系統開設、向相關學院及專業提出已建實驗室開放計劃、制定各項管理制度。
在實驗室的階段建設中，我們分步實施、邊建邊用、急用優先，在建設期內就使實驗室發揮出了良好的使用效益。
3.4強化管理，實行教師負責制
新的實驗室必須要有全新的管理模式。新建實驗室和實驗課程的管理將根據專業教研室的特點，采取教研室主任和實驗室主任統一協調下的教師責任制。在兩大實驗板塊的基礎上，根據實驗內容的布局進一步分為4類(工藝及測試，物理測試，設計和集成電路參數測試，系統開發)進行管理。原則上，實驗設施的管理及實驗科目的開放由相應專業理論課的教師負責，在項目的建立階段，將按前述的分工實施責任制，其責任的內容包括：組織設備的安裝調試，設備使用規范細則的制定，實驗指導書的編寫等。根據專業建設的規劃，在微電子實驗室建設告一段落后，主管責任教師將逐步由較年青的教師接任。主管責任教師的責任包括：設備的維護和保養，使用規范和記錄執行情況的監督，組織對必修和選修科目實驗指導書的更新，組織實驗室開放及輔導教師的安排，完善實驗室開放的實施細則等。
實驗課將是開放式的。結合基礎實驗室的開放經驗和微電子專業實驗的特點，要求學生在完成實驗計劃和熟悉了設備使用規范細則的條件下，對其全面開放。對非微電子專業學生的開放，采取提前申請，統一完成必要的基礎培訓后再安排實驗的方式。同時將針對一些專業的特點編寫與之相適應的實驗教材。
4取得初步成果
微電子學專業實驗室通過近3年來的建設運行，實現或超過了預期建設目標，成效顯著，于2002年成功申報為"；四川省重點建設實驗室"；?，F將取得的初步成果介紹如下：
(1)在微電子實驗室建設的促進下，為適應新條件下的實驗教學，我們調整了教材的選用范圍。微電子學專業主干課教材立足選用國外、國內的優秀教材，特別是國外能反映微電子學發展現狀及方向的先進教材，我們已組織教師編撰了能反映國際上集成電路發展現狀的《集成電路原理》，選用了最新出版教材《大規模集成電路設計》，并編撰、重寫及使用了《集成電路設計基礎實驗》、《超大規模集成電路設計實驗》、《平面工藝實驗》、《微電子器件原理》、《微電子器件工藝原理》等教材。
在重編實驗教材時，改掉了"；使用說明"；式的教材編寫模式。力圖使實驗教材能配合實驗教學培養目標，啟發學生的想象力和創造力，尤其是誘發學生的原發性創新能力乃至創新沖動。
(2)對本科微電子學的教學計劃、教學大綱和教材進行了深入研究和大幅度調整，并充分考慮了實驗課與理論課的有機結合。堅持并發展了我校微電子專業在器件工藝實驗上的特色和優勢，通過對實驗課及其內容進行整合更新，使實驗更具綜合性。如將過去的單一平面工藝實驗與測試分析技術有機的結合，將原來相互脫節的芯片工藝、參數測試、物理測試等有機地整合在一起，以便充分模擬真實芯片工藝流程。使學生在獨立制造出半導體器件的同時，能對工藝控制進行實時綜合分析。
(3)引入了國際上最通用、最先進的超大規模集成電路系統設計教學軟件(如CADENCE等)，使學生迅速地掌握超大規模集成電路設計的先進基本技術，激發其創造性。為了保證這一教學目的的實現，我們對
專業的整體教學計劃做了與之配合的調整。在第5學期加強了電子線路系統設計(如EDA、PSPICE等)的課程和實驗內容。在教學的第4學年又預留了足夠的學時，作為學生進一步掌握這一工具的選修題目的綜合訓練。
(4)所有的實驗根據專業基礎課的進度分段對各年級學生隨時開放。學生根據已掌握的專業理論知識和實驗指導書選擇實驗項目，提出實驗路線。鼓勵學生對可提供的實驗設施作自擬的整合，促進學生對實驗課程的全身心的投入。
在實驗成績的評定上，不簡單地看實驗結果的正確與否，同時注重實驗方案的合理性和創造性，注重是否能對實驗現象有較敏銳的觀察、分析和處理能力。
(5)通過送出去的辦法，把教師和實驗人員送到器件公司、設計公司培訓，并積極開展了校內、校際間的進修培訓。推促教師在專業基礎和實驗兩方面交叉教學，提高了教師隊伍的綜合素質。
(6)將集成電路設計實驗室建設成為電子信息類本科生的生產實習基地，為此，我們參加了中芯國際等公司的多項目晶圓計劃。
加入了國內外EDA公司的大學計劃，以利于實驗室建設發展和提高教學質量，如華大公司支持微電子實驗室建設，贈送人民幣1100萬元軟件(RFIC，SOC等微電子前沿技術)已進入實驗教學。
5結語
第5篇：半導體工藝培訓范文
全球IC設計業的年均增長率始終高于整個半導體行業。IC設計業占據IC產業的比重也逐年提升。2008年,全球集成電路產業出現2.8%的負增長,相對而言IC設計業卻有6%的增長,使其比重提高到21.4%。半導體市場的波動,同樣也影響到了IP核市場的走勢。IP核產業的走勢相對于半導體市場的走勢稍有滯后,但總體趨勢基本一致。
在全球市場中,亞太占全球半導體市場比重越來越大,而這一趨勢并沒有隨著金融危機的來臨而受到太大影響。目前亞太市場份額已經超過全球市場一半。我國在亞太市場中占據重要地位,09年上半年,中國大陸集成電路產業銷售額達到68.5億美元,占全球半導體市場的7.15%。IC設計業成為國內半導體產業鏈中唯一呈現正增長的環節。本文主要分析了2009年我國IC設計業發展狀況和未來趨勢,提出了目前該行業存在的主要問題及發展建議。
1中國IC設計業發展現狀與趨勢
1.1 發展現狀
1.1.1 IC設計業一枝獨秀,經濟政策和內需市場成增長引擎
2009年,中國IC設計業成為國內半導體產業鏈中唯一呈現正增長的環節,IC設計業實現銷售收入116.94億元,與去年同期相比增長9.7%。而國內芯片制造業以及封裝業卻呈現大幅下滑的狀況。據統計,2001~2008年,我國IC設計業占國內IC產業的比重從5.5%提升到18.9%,占全球IC設計業的比重從2001年的1%攀升至2008年的6.1%。截止2009年我國共有IC設計企業500多家,我國IC設計業從業人員約5.5萬人。2009年我國IC設計業銷售收入預計達286.74 億元。據iSuppli預測,2009年全年,中國半導體市場下降6.8%,至682億美元,中國IC設計業2009年將擴大至42億美元,比2008年時的34億美元增長24.2%。這個數字占全球Fabless約500億美元的8%,及占中國半導體業銷售額(09年約1118億元)的25.6%。
在國際金融危機的嚴重影響下,2009年國內IC設計業能夠實現正增長的動力主要來自國內大項目的帶動和國內內需市場的快速恢復。由于政府實行了4萬億元投資的經濟刺激方案和“擴內需、保增長”的政策,3G市場啟動、家電下鄉以及家電汰舊換新優惠措施的持續,新能源產業的發展,節能降耗的潮流,都為IC設計業帶來新的商機。大部分IC設計企業在金融危機到來之際都采取了積極的應對舉措。隨著09年第二季度訂單的恢復,也就能呈現較快的增長勢頭。
1.1.2國內企業普遍具備0.18微米以下工藝水平和百萬門規模設計能力
從工藝設計能力來看,我國IC設計企業普遍具備了小于0.18微米(含)的工藝水平。其中設計能力小于0.13微米的企業占相當比例,少數企業設計水平已經達到65納米的先進水平。我國芯片主流量產工藝采用0.13微米和0.18微米。中國IC設計公司在選擇工藝技術時更加務實,普遍表示視產品實際需要而定,以適用為度,而不會盲目追求先進工藝。
從產品的集成度來看,我國IC設計企業普遍具備了100萬門規模以上的設計能力,最大設計規模已經超過1億門。設計能力在100萬門~500萬門規模之間的IC設計企業比例達到了38%,設計能力在500萬門~1000萬門規模和1000萬門以上規模的IC企業比例各占19%。三者相加,具備100萬門以上規模設計能力的IC企業占到調查樣本企業的76%。中科院計算所自主開發的龍芯系列芯片,設計規模超過了1億門,并已小批量試投,反映出我國在CPU研發能力方面的顯著提升。
1.1.3 自主設計產品中SoC占主體,嵌入式CPU倍受關注
目前國內IC設計企業可以提供的產品范圍涵蓋IC卡、多媒體處理器、MCU、數字電視芯片、網絡通信芯片、RF芯片、電源管理芯片、DSP、嵌入式CPU、ASIC、模擬線性IC、混和IC和通用邏輯IC等,種類比較豐富。調查發現,我國自主設計的IC產品中SoC類芯片所占比例達到了29%,居各類IC產品第一位。具有高性能、低功耗、小尺寸等優勢的SoC芯片,可以有效地滿足電子整機系統不斷向多功能、高復雜度、小型化方向發展的需要,因而 SoC芯片正引領市場潮流。業界普遍看好SoC在未來的發展前景,并希望國家能夠給予支持。另外,嵌入式CPU則是我國IC設計企業普遍看好的明日之星產品。
1.1.4 企業對公共服務平臺需求多樣化,SMIC成IC設計發展支點
我國IC設計企業對國家集成電路公共服務平臺的功能需求多樣化,其中為中小企業和科研機構提供EDA工具租用、MPW服務的需求最大,這說明我國半導體產業,特別是IC設計機構,規模小,資金實力不夠雄厚,需要政府搭建服務平臺為其提供便利;提供芯片產品的推廣應用服務居其次,這說明不少的國內IC設計企業與產業鏈中的其他環節并不能順暢的溝通,需要第三方來促成;IC設計企業需要的其它服務還包括協助企業融資、提供知識產權深度分析服務、提供IP核評測、SOC驗證、SOC參考平臺等技術服務、提供小規模、快速封裝測試服務以及提供人才培訓等。
最新調查顯示,國內超過60%的IC設計企業選擇中芯國際(SMIC)作為代工(Foundry)合作伙伴。在中國大陸本土,中芯國際擁有最先進的工藝生產線,已可以量產65納米工藝的產品,中芯國際目前對我國IC設計業的發展起著不可或缺的支撐作用。
1.2 趨勢分析
1.2.1 IC設計行業正呈現“分工極致化”與“企業虛擬化”的特征,縱向整合成未來方向。
隨著半導體產業分工的日益細化,不僅封裝測試、芯片代工等生產環節已經獨立于IC設計行業之外,產品銷售、方案提供、IP開發、甚至整體芯片設計也已從Fabless公司中剝離出來而成為獨立的業務與專業化的企業,IC設計行業正呈現“分工極致化”與“企業虛擬化”的特征。目前國內IC設計行業激烈的市場競爭恰恰加速了這一演變進程,不斷被壓縮的利潤空間使得IC設計公司很難維持一個龐大的人員團隊,“輕型化”與“靈活性”對IC設計企業顯得更加重要。
2009年擁有強大整機企業背景的海思半導體、中興微電子、比亞迪微電子等企業成功抵御金融危機和半導體產業衰退的沖擊,將獲得超過40%的增長,這大大超過了2009年我國IC設計業11%的增長率,這些企業的一個共同點是縱向整合產業鏈資源,在產業鏈的某一個環節上,取得核心競爭優勢,從而使企業獲得了快速發展,這或成未來中國IC設計業的一個發展方向。
1.2.2 企業向主流核心產品拓展,網絡多媒體終端成未來創新突破點。
近年來中國IC設計產業的發展過程中,出現了不少以市場為導向,具有競爭活力的公司。一些有實力的公司正在積蓄力量,準備向核心領地,如手機、上網本等領域發起沖擊。未來2~3年,智能手機、3G、數字電視、互聯網多媒體終端等領域都將是本土IC公司的創新突破點。數字電視市場發展潛力巨大,模擬手機電視也開始廣受關注,吸引多家芯片廠商加盟。此外,本土IC廠商在支持CMMB及模擬電視的雙模產品方面可有發揮。 3G帶動手機向多媒體轉變,對無線互聯、音頻、視頻、圖像的處理功能的需求增強。未來智能手機市場容量巨大,對芯片方案的需求也會不斷變化,這將給本土IC設計公司帶來更多發展機會。
1.2.3 芯片設計周期長于產品生命周期,“Turnkey”升至IP環節
我國IC設計企業普遍存在的問題是設計周期比產品生命周期長。IC設計周期通常是18個月,而通信、消費產品的生命周期縮短到12個月,研發周期趕不上生命周期。在此情勢下,國內IC設計企業定義產品的形式一般有兩種情況:大公司可以有多個項目、多個團隊交替研發,在12個月內總有新產品,這種應對方案很少公司能做到;另一種是把能想到的都加入到設計中,但是又導致費用上升,成本難以控制。這已成為本土IC設計企業面臨的難題。
近期值得關注的一個現象是新興的IP供應商Andes(晶心科技)復制了聯發科的成功經驗,推出了一站式IP解決方案(IP Turnkey Solution)模式,其內涵是一站式解決方案(Turnkey Solution)不單指半導體芯片解決方案,現在已經延伸到IP層面,不僅為客戶提供核心處理器IP,同時考慮市場與客戶需求、SoC設計所需完整系統,提供一站式IP解決方案。這樣可有效縮短IC項目設計周期,把產品快速推向市場。
1.2.4 Foundry從單純制造向行業主導者角色演變
調查發現,Fabless與Foundry之間的分工模式正在悄然發生著變化,Foundry目前已脫離原本單純的制造范疇而拓展至生產過程中涉及的設計、設計服務、IP交易、封裝測試等各個領域,其提供的服務也越來越趨于整合這些不同業務。可以說,Foundry企業正向扮演行業發展主導者的角色演變。臺積電、聯電、中芯國際等Foundry大廠也都在積極籌劃各自的整合平臺業務。Foundry整合平臺無疑就是Foundry領域的Turn-key模式。這一模式確實可以有效的“協助其客戶大幅縮短IC生產流程,降低整體IC研發成本”。但是Turn-key是否能夠“加速IC產業創新和增長”尚需觀察。
2中國IP核產業發展狀況
鑒于IP與SoC設計的重要性,一位業界專家指出,一個國家發展集成電路產業的過程,從某種意義上說,就是研發和積累IP的過程。目前我國大多數集成電路設計企業已經在SoC設計過程中采購第三方IP核,以加快設計進度。但仍有約50%的集成電路設計企業在SoC設計工程中不采購第三方IP核,而代以自己開發的模式,這嚴重限制了我國IP市場的規模,也在一定程度上制約了我國IC設計業的快速發展。
雖然我國集成電路IP核產業發展較晚,但隨著設計業的發展,也出現了幾家較為成功的IP核供應商,如蘇州國芯、四川和芯微以及神州龍芯、浩凱微等。除了以IP核授權為主的IP供應商外,幾乎我國每家IC設計企業都有自有IP核。但約有40%的設計企業不愿意將企業自有IP核拿出來交易,已將IP核拿出來交易的企業占20%,還有40%的企業愿意但尚未推廣自有IP核。知識產權保護問題和IP核的技術支持問題是IP核市場存在的根本前提,有很多企業不愿意將自有IP核拿到市場上交易,寧愿花更多的成本將其固化成芯片,正是基于這樣的擔心。如果IP核供應商可以提升IP核可交付資料的完備性,提升技術服務能力和便捷性,并且創造良好的IP核交易氛圍,那么企業內部自有IP核的上市必將活躍我國的IP核交易市場,推動我國IP核產業的發展。
3中國IC設計業及
IP核發展中的問題
3.1 我國IC設計業技術水平與國際先進水平差距明顯
國際上IC設計公司的主流數字工藝集中在65納米,部分公司已進入45/40納米,相比較,我國本土IC設計公司中約有一半公司的數字工藝水平為0.13微米/0.18微米,能夠達到90納米的很少,只有個別企業具備了65納米的設計能力。在IC制造環節,英特爾32納米的產品在2009年年底量產,而國內企業65納米平臺還不算完備。另外,除了基于硅平臺的演變,非硅突破、量子新興電子學等先進技術對于我們發展時間不長,積累技術不豐富的國內IC設計業來說,又是一個巨大的挑戰。
3.2 國內IC設計企業研發力量薄弱,缺乏足夠IP積累
自全球IC設計業進入系統芯片(SoC)設計階段,單個芯片上需要用到的IP越來越多。如果沒有足夠多并且有特色的IP,就無法設計出具有市場競爭力的產品。本土IC企業普遍規模小、實力弱,采購第三方IP難以承擔高昂的費用,完全依靠自有力量研發,又會延長項目開發周期,這已成為不少企業的兩難選擇。由于這種狀況不可能短期根本改觀,它將成為制約我國IC設計業發展的一個隱。
3.3 國內IC設計骨干企業數量少,企業發展模式單一
盡管我國IC設計業產業規模在迅速擴大,但整體實力較弱,企業小而散,缺少大的骨干企業,導致產品同質化競爭、低價競爭的局面不斷擴大,領頭羊模式仍需進一步探討。
從發展模式來看,國內IC設計企業持續創新能力不足,專利積累數量很少,極少企業能夠自主進行創新理念和商業模式的突破。
3.4 IC設計企業與整機廠商脫節狀況仍比較嚴重,缺乏完整的價值鏈
多數國內IC設計企業缺乏產品解決方案的開發能力,與全球IC設計和系統設計趨于融合的國際大趨勢相比,國內IC設計企業與整機廠商間的聯動機制依然薄弱。相比成功的跨國公司,國內IC設計企業缺乏完整的價值鏈。與代工廠商、測試廠商、封裝廠商、EDA工具提供商、IP廠商、系統廠商等上下游企業缺乏密切的協作關系。
3.5 政策環境仍然難以適應產業發展的需要
隨著產業發展環境的變化,現有政策已難于適應產業發展的新情況。突出的是我國的設計企業所承受的增值稅稅負問題。作為智力密集型的設計企業因進項很小導致增值稅稅負沉重。有的企業或者采取在國外生產制造、再進口到國內,或者采取復進口的方式,甚至個別企業采取變相的方法偷稅漏稅,以達到減免稅收的目的。
4發展建議
4.1 貫徹“以應用 促發展”戰略,出臺保障政策和措施
我國在2009年初的《電子信息產業調整和振興規劃》中,雖然明確了集成電路產業“以應用,促發展”的戰略思路,但目前缺乏貫徹這一發展戰略的具體政策和保障措施。任何一項計劃或政策如果不能有效的影響企業的市場行為,該項計劃和政策就不能稱之為有效和成功的。調研中也發現多數IC設計企業認為近幾年來國家對IC設計業的支持多停留在“口惠”層面。
建議圍繞“家電下鄉”和3G移動通信的建設和運營,設立集成電路研發和生產專項資金。加大財政投入和補貼,支持國內企業為“家電下鄉”和3G通信配套集成電路產品的研發和生產。另外,在金融卡、交通卡、社保卡、醫療卡等領域,鼓勵整機企業采購國產集成電路產品,各級政府應對相關集成電路產品建立政府采購制度。對自主設計并擁有自主知識產權的中高檔集成電路產品實行首購制度。
4.2 鼓勵整機企業向IC設計業投資,推動產業鏈垂直整合
通過IC設計企業、渠道商、方案提供商、系統整機企業之間的垂直整合,打造虛擬甚至是實體的IDM,可以形成整個產業的良性發展和互動。推動產業鏈垂直整合是突破國產IC應用瓶頸,實現中國IC設計業做大做強的有效途徑。但是垂直整合的難度是在市場經濟條件下,如何協調好各方利益主體,建立內在“粘著”機制。比較可行的做法是,以國家戰略任務為牽引、組建包括IC設計企業、渠道商、方案提供商、系統整機企業在內的類似TD-SCDMA的產業聯盟; 或者政府出臺相關政策,如國家以一定比例跟進投資,鼓勵整機企業向IC設計企業投資,或組建合資新公司,從而有效推動產業鏈的垂直整合。
4.3 集中、高效、循環利用國家資金,以風險投資方式入股企業
將國家資助資金進行有效利用, 如以風險投資方式入股企業, 當企業獲得利潤后,國家獲得相應的投資收益, 并將所得收益進行再次投資給其他需扶持的企業, 實現支持資金的有效使用和放大, 使其進入良性循環。集中力量開發或招標開發具有戰略意義的大項目。關鍵領域的產品研發要重點支持,支持要長期不懈。
4.4減輕企業稅負,優化企業發展環境
減輕集成電路設計企業增值稅稅負。根據IC設計企業的實際情況,建議在征收IC設計企業產品增值稅時,把企業對該產品的研發費用與試制批量流片費用列為企業的進項。
4.5 “扶優、扶強、扶大”,培育大公司
挑選有潛力的企業支持其為“國家隊”,先要有幾棵大樹才能吸引資本和人才進入這個行業,也才能真正培養出高水準的本土人才。枝節不斷掉下來又長成大樹,這正是硅谷的發展模式。但要預防和避免把“國家隊”做成國有大鍋飯企業。
國家各類集成電路研發專項向重點企業傾斜,著力培育壯大一批IC設計的大型骨干企業,減免高級人才所得稅,對新上項目中高端項目給予貸款貼息獎勵,鼓勵企業加大研發投入,引進和留住高端人才等。
4.6 國家出資建設可以提供絕大多數IP的公共平臺
在集成電路產業發展中,政府應重點解決單個企業難以應付的情況和問題,以及單靠企業力量無法完成的事情。鑒于IP于SoC設計的日益重要性,結合目前我國IC設計業和IP核產業發展的現狀和遇到的問題,建議完善和加強Foundry的IP,打造可以提供絕大多數IP的公共平臺,國家負責IP費用。IP要全要好是關鍵,未來5年內主要應采用拿來主義,多買(License)別人的成熟的技術,盡快滿足當前市場的需求,培育一批可以熟練設計某個領域內專用標準產品(ASSP)芯片的專家。
第6篇：半導體工藝培訓范文
關鍵詞：微電子學；預實驗；開放式實驗
作者簡介：梁海蓮（1979-），女，江西高安人，江南大學物聯網工程學院、信息與控制實驗教學中心，講師；趙琳娜（1979-），女，天津人，江南大學物聯網工程學院、信息與控制實驗教學中心，講師。（江蘇 無錫 214122）
基金項目：本文系江蘇省研究生教育教學改革研究與實踐課題（課題編號：YJG08_YB26）的研究成果。
中圖分類號： G642.423 文獻標識碼：A 文章編號：1007-0079（2013）20-0092-02
隨著社會的飛速發展，傳統封閉式、單向傳輸的課程教學模式，已不能適應現代社會發展的需要。近年來，多數高校正積極開展面向高校、企業與科研中心一體化的“產學研”相結合的課程教學改革。[1]
作為電子信息產業核心技術之一的微電子技術，已經成為現代電子信息技術，是當前計算機和通訊技術發展的主要驅動力。[2]作為微電子學專業核心課程之一的“微電子專業實驗”，所涉及的基礎理論知識面較廣，涵蓋了“電路”、“模擬電子技術”、“數字電子技術”、“模擬集成電路”、“數字集成電路”、“半導體物理”、“半導體器件物理”、“電子設計CAD”、“集成電路封裝、制造”等多門專業課程知識。鑒于該課程所需實驗設備儀器種類較多、測控要求高、儀器價格昂貴、維護成本高等特點，且受人力、物力的限制，課程中不同實驗所需配套設備購置數量較少。然而隨著微電子產業對專業人才需求的不斷增大，所需人才技能水平日益提高，高校在面向社會、面向未來，構建研究型綜合大學的奮斗目標下，必須提高人才培養效率，改變傳統教學模式，從根本上解決學生人數多、實驗時間短、實踐技能提升緩慢等現實問題，這是課程教學改革的關鍵。
基于上述“微電子專業實驗”的課程特點與現實受限因素，迫切需要針對實驗教學內容、實驗教學方式和實驗管理制度等方面進行改革與創新。這是因為實驗教學在高校人才培養過程中起著非常重要的作用，是連接知識與實踐、實踐與創新，并使理論知識向實踐能力轉化的重要橋梁。[3]為踐行研究型綜合大學與時俱進的教學理念，[4]在“微電子專業實驗”課程教學改革中，以提高學生的綜合素質為目標，以學生為主體，在實驗教學內容、實驗過程、實驗管理等方面進行了開放式微電子專業實驗課程教學，并取得了良好的教學效果。
一、實驗教學內容的設計與完善
針對該課程實驗內容系統性強、理論知識抽象復雜的特點，為使學生在進入實驗環節之前，對理論知識有一個形象、直接的感觸體驗，提高學生實驗探索的興趣，設計了一套相關實驗所需理論知識的預實驗系統。該系統結合電子設計CAD、專業仿真軟件、動畫演示等，將抽象復雜的專業理論知識形象化，有助于強化學生對理論知識的理解，較好地實現理論與實驗相結合的過渡銜接。通過理論知識復習和預實驗，既可有效促進學生對理論的理解，又能讓學生在預實驗中掌握下一步實驗過程中的操作技巧，還能為學生獲得新的理論知識打下良好的基礎。
經初步嘗試，整套預實驗系統中的電路仿真軟件Multisim、印制版電路仿真軟件Protel、FPGA嵌入式系統設計、虛擬電子實驗室Labview，以及電路系統功能仿真軟件MATLAB、集成電路系統仿真軟件HSPICE、Cadence電子設計軟件及半導體器件仿真TCAD等軟件，可實現微電子專業實驗從單個器件向電路模塊乃至整個電路系統，從前端系統功能設計向后端電路制作及電路性能驗證的全功能預實驗仿真。借助上述預實驗系統，一方面可以加深學生對電路結構、原理的認識與理解；另一方面還能訓練學生熟練地使用儀器，掌握正確的測量方法，提升學生的實驗數據分析與鑒別能力，還有利于減少實驗損傷，提高實驗效率。
二、實驗管理制度的設計與完善
雖然上述預實驗在一定程度上有助于提高實驗效率，但在提高學生動手能力、專業技能等方面尚有欠缺。為了進一步解決微電子專業實驗儀器精密、貴重且量少，操控較為復雜、耗時費力等問題，仍需改革原有的實驗管理制度，改變實驗管理方法，提高儀器的使用效率。
針對微電子專業實驗儀器精密、貴重、數量較為單一的特點，在購置相關儀器時，建立了專業對口教師采購、運行并維護的主負責管理制度，同時配備該儀器適用專業方向的研究生，經專業培訓上崗，輔助指導實驗學生正確操控、使用儀器。在新置儀器運行之前，要求廠家針對專業對口主負責教師和若干輔助測控的研究生進行系統運行、維護、管理培訓，培訓后主負責教師針對“微電子專業實驗”課程的培養人數、課程日程、學分等情況，制定了學生實驗分組、分時計劃，并相應指定各實驗小組的助教研究生，指導學生使用該儀器，協助管理實驗儀器的運行、維護，并記載相應的實驗運行狀況、實驗人員等。
同時，結合“微電子專業實驗”課程系統性強的特點，通過相應的實驗教學環節，培養學生獨立完成半導體材料特性測試、微電子器件特性測試、微電子技術工藝參數測試和電路系統性能參數測試等，提升學生的綜合測試技能和實驗分析能力，鞏固和強化現代微電子技術與集成電路制造技術的相關知識，并為學生進行理論知識創新提供了一個良好的實驗平臺和理論基礎，綜合鍛煉了學生分析、探討和總結實驗結果的能力。
三、開放式微電子專業實驗課程教改案例
以MOS集成運算放大器設計為例，制備工藝平臺為0.6um CMOS工藝，2層多晶硅，5層金屬連線，電路工作電壓為3～5V。
首先，指定實驗內容，兩級CMOS集成運算放大器電路原理如圖1所示，[5]其中M1～M4為有源負載的差分輸入級，M5提供該級工作電流，M8、M9構成了共源放大電路，為輸出級，M7為源跟隨器，提供增益為1的緩沖器，以克服補償電容的前饋效應，并消除零點，M6提供M7所需的工作電流，M10、M11組成運放偏置電路。電路性能與目標設計要求輸出電壓擺幅大于±3V，最大轉換速率為30V/μs，補償電容Cc為10pF。
其次，讓參與實驗的學生在電路仿真環境HSPICE中結合圖1所示電路進行預實驗，測試集成運算放大器在數學、物理理論模型下的理想實驗參數，完成預實驗，本預實驗環節所需課時約3學時。在進入下一實驗環節前遞交實驗預習報告，由學生在實驗前聯系專業機房的管理人員，自行安排課外時間完成。
再次，讓學生在Cadence系統中使用Virtuoso軟件完成CMOS集成運算放大器的版圖設計，版圖畫完后需采用Design Rules Checker（DRC），按照電路設計規則檢查設計的版圖文件、運行和找出錯誤，并在相應版圖位置中做出標記和解釋。在檢查完版圖之后，還需進一步對Electrical Rules Checker（ERC）進行檢查，以查找線路中的短路、開路和浮空結點，ERC檢查到短路錯誤后將錯誤提示局限在最短的連接通路上。在修正上述版圖、電路連接問題后，仍需使用Layout Versus Schematic（LVS）比較集成電路版圖與其原理報告版圖的連接是否一致，從而進行反復修改，直到版圖和電路原理圖達成一致。最終在完成集成運算放大器的版圖驗證與電路系統性能后仿的物理驗證工作之后，方可與相關半導體代工廠聯系，確定設計數據文件的大小、后端數據接口處的端口設計及其尺寸等，并交付半導體代工廠制備。本實驗環節所需課時約6學時。
最后，將流片后的芯片在邏輯分析儀、混合信號測試儀、半導體參數分析儀等實驗平臺測試集成電路中器件的電學參數和集成運算放大器性能參數等，并結合預實驗的仿真數據對比分析，進一步優化、改進版圖，以提高集成運算放大器的綜合性能，此實驗環節約占3學時。由于本實驗環節受儀器數量的限制，實驗前需要先把已完成前兩環節的實驗學生分成2～3人一組，將半導體器件與集成電路測試和版圖觀測的實驗平臺安排在一個集成電路測試實驗室，而將邏輯分析儀、混合信號測試儀等電路系統測試儀器等實驗平臺安排在另一個電子電學測試實驗室，實現不同類別實驗平臺的相互獨立，有助于不同實驗室合理高效地實行開放式實驗。當然不同實驗平臺均有指定能夠熟悉操作的助教研究生協助，參與實驗的學生能獨立完成所需測試類型的實驗。實驗結束后，學生以書面形式闡述實驗過程、分析測試數據、總結實驗結果、完成實驗報告。教師針對實驗過程中出現的新現象、新問題，提出問題的查找方向，鼓勵學生積極探索，查閱課外文獻，提出具有獨到見解的實驗觀點，為理論知識的創新、發展培養正確的科研方法。同時，也需要對全面開放的專業實驗教學模式進行評價和提出建議。
四、結論
調查結果顯示，學生對這種開放式微電子專業實驗課程教學改革積極性較高，認真負責的配合教師、助教研究生完成實驗任務。與傳統單一、封閉教學模式相比，本課程教學改革在原實驗管理員的積極支持下取得了良好的實驗效果，也深受同學們歡迎，有助于提高同學們的學習興趣和自我學習能力。
參考文獻：
[1]劉瑞，伍登學，鄔齊榮，等.創建培養微電子人才教學實驗基地的探索與實踐[J].實驗室研究與探索，2004，（5）：6-8，23.
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[3]馬瑤，石瑞英，袁菁，等.開放式專業實驗教學模式探索和實踐[J].高等教育發展研究，2008，25（1）：42-45.
第7篇：半導體工藝培訓范文
劉玉嶺教授，博士生導師，第九屆、第十屆、第十一屆全國政協委員，國家級有突出貢獻中青年專家。他治學嚴謹，學風正派，創新成果業績突出：以他為第一發明人，獲得國家發明獎5項，省部級科技發明與進步獎21項，取得發明專利57項，美國發明專利3項；出版專著5部，200余篇。他還很注重對學生的培養，在他的悉心教導下培養碩士、博士、博士后共百余名；以他為學術帶頭人的微電子學科是碩士、博士、博士后等高層次人才培養的省級重點學科。這一切源于他對祖國科技事業執著追求和孜孜不倦的創新精神。
走近劉玉嶺，看到的是他輝煌的創新歷程：1979年我國引進日本11條IC生產線，其硅襯底拋光材料需要由日本不二見株式會社進口。劉玉嶺看在眼里急在心里，針對該產品黏度大、結塊、高鈉離子污染環境等問題，發明了懸浮性好、無鈉離子、不揮發、易清洗的FNO-MOS型拋光液，價格僅為日本的十分之一，該成果獲天津科技成果二等獎，國家發明四等獎；2000年劉玉嶺發明的以化學作用絡合胺化為技術路線堿性CMP材料與相應工藝技術，低于目前世界花數億元巨資研發的電化學拋光（ECMP）機械壓力的三分之一，為GLSI向45nm以下產業化發展做出創造性貢獻，該技術已獲國家發明專利54項，克服了占世界主導市場的酸性漿料強機械研磨后溶解機理模型存在的速率低、機械作用大、工藝復雜等難題；他在“ULSI襯底表面潔凈技術”研究中，首次提出了優先吸附理論及數學模型：t=Kr2/f1f2S；發明了“專用界面活性劑處理晶片表面吸附物技術”，使吸附物處于物理吸附狀態的時間延長了30倍以上，并采用集中清洗，提高了效率，節省了試劑。該技術已在洛陽740、有研硅股等企業規模應用，僅刷片機一項，可節省3936萬元，專家鑒定該項技術為國際領先水平，獲國家發明專利，天津市發明二等獎，國家發明三等獎，2000年被科技部列為國家級科技成果重點推廣計劃和國家級新產品。目前，新研制的半導體膜電-化清洗技術應用于GLSI清洗工藝，同時去除有機物與金屬離子沾污，既節能又環保。
在這些發明專利中最讓他驕傲的技術是“FA/O均腐蝕拋光液與拋光技術”。由于采用自己研發的多功能強絡合劑（同時作pH調節劑，緩蝕劑），有效控制了重金屬雜質沾污，洛陽鼎晶半導體材料公司用此拋光液加工的IC襯底片成為唯一最可靠的“神五”、“神六”、“神七”專用電路硅襯底，為航天事業作出貢獻，獲國家發明三等獎，被國家5部委審評為國家級新產品，被國家科委列為國家科技成果重點推廣計劃。
在劉玉玲的科研之路上，一直堅持產學研用相結合，他領銜創建了與微電子技術與材料相結合的產學研實體，建立6000噸表面加工耗材生產線，產品已在京、津、滬、浙等十多個省市的引進生產線上取代了進口，進行新技術培訓1000余人次。臺灣廣潤科技公司、臺灣弘弦科技公司、國家工程物理九院、洛陽空空導彈研究院、電子45所等眾多企業與他簽訂了技術協議。他還是國家中長期科技發展重大專項項目、國家重點安全基金NSAF等項目的技術負責人。他長期為大中企業的第一線解決新技術問題。在科研成果推廣中培訓技術人員1000余人次。
劉玉嶺教授作為我國微電子技術與材料CMP超精細領域技術帶頭人，在國內外享有較高的聲譽。國際CMP耗材最有影響的多家專業公司多次提出買斷該技術，目前由中芯國際支持的以劉玉嶺教授為負責人的國家重大專項“極大規模集成電路平坦化材料與技術”已進入產業化階段，產品在理論、方法、路線和材料方面均實現了創新，性能提高，工藝簡化，成本低，環境友好。2012年獲國家02專項驗收成績優秀，該團隊成為100多個承擔項目單位中五個優秀團隊之一。硅、藍寶石等產品已在中國華晶、華微等30多條引進生產線上規模化應用，代替進口產品，取得經濟效益超過億元。劉玉嶺教授無疑是科學家，但他同時又是企業家、實干家，他的創新之光照耀中國走向世界的同時，也為祖國帶來了巨大的經濟效益。
第8篇：半導體工藝培訓范文
獨立學院作為本科教學型院校，以服務當地經濟社會發展，培養工程應用型人才為目標，在“卓越工程師培養計劃” 指導下，培養的人才應定位于面向工程設計、施工和管理第一線，要求學生既具有比較扎實的理論基礎和文化素質，又要具有較強的靈活應用所學知識解決工程實踐問題的能力和創新精神，在人才培養模式和課程改革方面更應注重突出專業特點，并與行業需求緊密結合，體現卓越工程師培養的目標。[2]
半導體照明技術是傳統光源與照明技術的一次革命，其技術發展迅速、應用領域廣泛、產業帶動性強、節能潛力大，被各國公認為是最有發展前景的高效照明技術，半導體照明產業也是我國當前的戰略性新興產業，它是光源與照明產業的當展形態，LED照明產品正在逐步取代傳統照明產品，美國市場研究公司Markets and Markets最新報告預計全球半導體固態照明（SSL）市場將于2018年達到567.9億美元，2013年至2018年的復合年增長率將達18.7%。[3]但是，由于產業發展速度過快，半導體照明產業正面臨專門技術人才嚴重缺失的局面。眾所周知，高等教育傳授的知識技能往往滯后于快速發展的產業應用技術，高校培養的適合新興產業的專業技術人才相對較少，在照明領域，我國原來只有少數高校培養了傳統照明專業的畢業生，因此，目前我國半導體照明產業發展所需的大量新型照明專業技術人才供給嚴重不足，而作為重點發展照明產業的中山市，專業人才缺失的矛盾更加突出。作為中山市地方高校，我們適時進行了光源與照明專業方向的建設，并以培養半導體照明產業卓越工程師為目標，不斷完善人才培養體系。
一、結合地方產業特色構建和完善專業人才培養體系
1.準確定位適合本校的“卓越計劃”專業人才培養體系
“卓越計劃”的主要目標是：面向工業界、面向未來、面向世界，培養造就一大批創新能力強、適應經濟社會發展需要的高質量各類型工程技術人才，為建設創新型國家、實現工業化和現代化奠定堅實的人力資源優勢，增強我國的核心競爭力和綜合國力。其指導思想在于以社會需求為導向，以實際工程為背景，以工程技術為主線，著力提高學生的工程意識、工程素質、工程實踐和創新能力。具體到“卓越計劃”的實施層面，由于我國高校存在不同的類型和層次，具有多樣性，每個學校各具特色；行業和社會對工程人才的需求也具有多樣性，不同類型、不同層次的工程人才的培養要求隨著經濟的發展和社會的進步而不斷提高和變化。因此，不同的高校和專業在實施“卓越計劃”的時候需要選擇最適合自己的目標、層次和類型。
在“卓越計劃”指導下，作為地方高校，我們在培養光源與照明專業人才時既要兼顧到照明行業整體的需求，又要將地方照明產業的特色需求作為工作重點，積極探索和完善人才培養模式，構筑本校專業建設的特色。這么做既能認清本學校和本專業的人才培養定位，根據現有的師資和實踐條件重點培養具有重點技能的專業人才，同時，也能夠達到為區域經濟發展作出應有貢獻的目的。
2.制定適合本校的“卓越計劃”專業人才培養目標
“卓越計劃”要求各高校遵循工程人才培養定位的原則，即服務面向原則、辦學層次原則、自身優勢原則和未來需求原則，才能準確地找到適合本校的“卓越計劃”的人才培養定位，并體現在適合本校的“卓越計劃”專業人才培養目標上。
半導體照明產業作為光源與照明產業的當展形態，包含了材料、芯片、封裝和照明產品集成應用等多個分支，在這些工程分支中涵蓋了多個學科的專業知識，如材料學、微電子與固體電子學、光學、熱學、智能控制、機械設計等諸多方面，這使得半導體照明專業成為一門綜合性的交叉學科。目前國內大量需要LED照明相關領域的人才，比如研發類人才涉及LED光學系統研發、散熱系統研發、LED專門電源研發、控制系統研發等；其他領域如LED照明產品的制造、材料、銷售、市場等眾多領域也都需要相關的專業人員，因此，半導體照明產業需要的是多元化的人才，既要產品研發人才、工程設計人才，又要市場營銷人才、高級管理人才，特別是既懂技術又懂管理、照明文化的復合型人才。[4]中山市作為世界燈飾之都，是我國重要的照明產品生產制造基地，現已形成了LED器件封裝、LED照明燈具設計與制造、LED照明與顯示工程設計與應用等優勢產業集群，據統計，2012年，中山市現代照明產業集群實現總產值超過650億元，占全市工業總產值的比例近15%，銷售收入628億元，上交利稅28.5億元，稅后利潤72億元，出口創匯36億美元，其中LED照明企業數量已超過1200家，含近100家規模以上企業，LED照明企業從業人員超過7萬人，2012年LED照明企業產值達到356.5億元，同比增長55%。2013年上半年，中山市LED燈具出口批次和貨值同比分別增長了136.2%和119.8%，而從2012年下半年開始，中山市傳統照明產品的出口卻一直呈下降趨勢，可見，LED照明產業正在較快取代傳統照明產業，與此相應，半導體照明產業正日益成為中山市乃至廣東省的新興支柱產業。[5]經過到企業的多次實地調研發現，中山從事半導體照明產品研發、生產、銷售及其配套的各類企業日益壯大，需要大量照明專業人才，尤其是LED照明設計和工程應用型專業人才，因此，作為中山市地方高校，我們在光源與照明專業建設工作中，需要遵循“卓越計劃”原則，結合中山市LED產業發展特色，將專業人才培養目標定位在重點培養學生成為LED照明設計和工程應用型專業人才上。
3.專業基礎課程設置
根據現階段光源與照明產業發展對人才培養提出的要求，地方高校的專業建設工作應從兩方面展開，一方面基于照明行業的需求和發展態勢，在專業建設中首先需要重視專業基礎課程的設置，任何產業的發展都有發生、發展、、衰落的過程 ，LED照明產業也是如此，為了適應這一點，培養學生應首先著眼于他們對學科基礎有較廣泛和深入的積淀，為他們打下堅實的基礎。作為地方高校，定位是培養應用型高級工程技術人才，首先要求學生能夠具備合理的知識結構和扎實的基礎。光源與照明專業隸屬于電子科學與技術大類，因此要求學生系統掌握電子科學與技術專業領域比較寬廣的基礎理論知識，在專業基礎課程設置上配齊電子信息專業基礎課程，包括：模擬和數字電子技術、電路分析、信號與系統、微處理器原理與接口技術、高級語言程序設計、電磁場與電磁波、高頻電子線路等。其次，結合照明產業實際需要，學生需要掌握半導體物理和器件的基本理論和實驗技術，掌握集成電路的設計、制造及測試方法，掌握照明用光源及照明工程相關的基礎理論知識與技術，因此，我們在專業基礎課程方面設置了半導體物理、微電子器件、應用光學等課程。另外，結合中山市半導體照明產業在產品設計、工程應用、器件封裝等方面的特色需求，設置了照明系統設計、照明光源驅動技術、照明檢測技術、照明工程技術、集成電路封裝與測試等專業課程。通過這一系列課程的設置，培養學生具備半導體照明產品的設計、開發、制造、智能化控制、產品檢測、技術管理等領域的實際工作能力，接受半導體照明工程和系統設計等工程實踐的基本訓練，以便他們能夠具備在半導體照明產業領域尤其是在當地優勢產業領域工作的各方面基本專業技能，為他們在半導體照明產業領域具備良好的工程意識和工程素質打下扎實的基礎，這些工作切實符合“卓越計劃”的人才培養目標。
4.專業實踐課程設置
“卓越計劃”要求著力培養人才的工程實踐和創新能力，因此，專業實踐課程設置對培養工程化人才至關重要。為了與“卓越計劃”人才培養目標和本校的人才培養定位相匹配，在光源與照明專業建設中，我們主要設置兩方面的實踐課程內容，一方面是專業基礎課程的課內實踐環節內容，包括模擬和數字電子技術、電路分析、高頻電子線路、集成電路工藝基礎、MATLAB工具軟件等專業基礎課的課內實驗或上機操作等，另外還設有照明設計等專業實踐課程以及綜合性設計實驗課程，這些課程通過課堂可以對學生的工程實踐和創新能力、獨立分析和解決問題的能力進行初步的訓練。另外一方面，“卓越計劃”特別強調學生到企業中的學習和工程實踐階段，在此階段，學校和企業共同設計培養目標，制定培養方案，共同實施培養過程。為此，我們設置了校企合作培養計劃，在合作企業的選擇上，根據中山市半導體照明行業的發展特色，充分利用了一些優勢企業資源，與一些骨干企業合作建立了半導體照明人才培養、培訓、實習基地，這些骨干企業包括以照明系統和產品設計生產見長的中山泰騰燈飾有限公司、中山鴻寶電業有限公司，以照明系統工程設計與應用見長的中山華藝燈飾照明股份有限公司、中山達華智能科技股份有限公司，以LED器件封裝見長的木林森股份有限公司，以照明檢測見長的國家燈具質量監督檢驗中心（中山）等。這些骨干企業在各自的特長領域具有生產和研發的優勢資源，通過與他們合作，能夠進行優勢互補，整合出適合當地照明產業發展需求的一套完善的企業實踐培養體系，實現多個企業優勢資源的有機結合，學生在這些優勢實踐平臺中循環流動，可以受到比較全面的專業工程實踐鍛煉，并且能突出重點，培養他們的重點技能，迎合當地照明產業的重點需求。與此同時，也能夠發揮高校在科研上的優勢，尋求與企業合作研發的契合點。總之，通過實施企業階段合作培養方案，學生的專業知識和專業技能能夠更加切合當前的產業需求，高校能夠盡快把握產業發展動態，及時調整教學培養方案，企業能夠及時得到高校的研發力量支持，高校幫助解決生產中所遇到的問題，達到三方共贏的結果。
二、結語
“卓越計劃”是促進我國由工程教育大國邁向工程教育強國的重大舉措，也是地方高校進行專業建設的重要指引，我們在光源與照明專業建設工作中，通過以上幾個方面的努力，正在逐步形成符合“卓越計劃”要求的專業人才培養體系。當前，半導體照明產業作為戰略新興產業正迅猛向前發展，對專業人才的需求緊迫而旺盛，因此，高校也要加快建設和完善專業人才培養體系，努力做到高質量的人才培養與旺盛的人才需求之間的對接，從而為地方經濟和社會發展提供有效服務。
參考文獻：
[1]張韋韋.教育部啟動實施“卓越工程師教育培養計劃”[J].教育與職業，2010，（7）：2O.
[2]林健.“卓越工程師教育培養計劃”專業培養方案研究[J].清華大學教育研究，2011，（4）：47-55.
[3]美國預測2018年全球固態照明市場將達567.9億美元[EB/OL].http：//china-led.net/info/20130912/1926.shtml.
第9篇：半導體工藝培訓范文
佟存柱，1976年3月生于吉林伊通縣，現任中國科學院長春光學精密機械與物理所研究員，博士生導師，中科院“百人計劃”入選者。
尋找最適合的事業方向
佟存柱與物理有著與生俱來的緣分。他從小就對機械、儀表、電路等物理器件有著極高的感悟能力，他的物理課成績也一直在學校名列前茅。高考時，接近滿分的物理成績使他毫無懸念地進入了重慶大學物理系。四年之后，佟存柱考取了重慶大學應用物理系與中國科學院聯合培養的研究生。在重慶大學學習一年以后，佟存柱來到了中科院理化所的低溫中心，而隨著低溫中心并入中科院物理所，他又開始了在中科院物理所的學習和研究工作。
從2000年第一次踏入中科院，佟存柱就與其結下了不解之緣。他曾先后在中科院四個研究所學習和工作，包括中科院理化所低溫中心、中科院物理所、中科院半導體所和中科院長春光學精密機械與物理所。
談及四個研究所的文化底蘊，往昔生活浮現眼前，佟存柱回憶說，“中科院物理所以基礎研究為主，老一輩科學家的兢兢業業、嚴謹求實的精神時刻激勵著我，也是我內心永遠銘記的榜樣。物理所另一個文化則是合作，很多成果是通過各部室合作取得，這一點讓我深刻領會到合作對事業發展的重要性。中科院半導體所則把我帶入了半導體激光器這個領域，這也是我目前一直所從事的研究方向。而中科院長春光學精密機械與物理所是一家偏重工程應用的研究所，該所最大的特點是重實際應用、上下團結、科學管理。”
從碩士到博士，佟存柱積累了厚重的學科知識，收獲了豐富的科研思想。為了掌握更尖端的技術，2005年佟存柱以研究員的身份來到新加坡南洋理工大學電子工程學院。這期間，他的主要工作是帶一個小的團隊，負責量子點材料與器件研究。佟存柱帶領幾個博士組成的研究小組，在低維納米材料外延生長、量子點邊發射激光器和垂直腔面發射激光器等課題的研究取得了出色戰果，先后提出了量子點全路徑弛豫速率方程模型，設計并研制出1.3μmp型調制摻雜量子點垂直腔面發射激光器。這些項目在國際上都是有難度的，他們正是憑著初生牛犢的韌勁和勇氣取得了令人刮目的成果。佟存柱自豪地說，那些器件的設計和制備難度極高，我們是通過超常規的辦法才取得了成功的。
為了尋找更廣闊的成長空間，佟存柱離開新加坡來到了大洋彼岸的加拿大。2009年8月，佟存柱加入加拿大多倫多大學電子與計算機工程系。多倫多大學是光子晶體技術的最權威的研究機構之一。佟存柱來到多倫多大學，主要從事片上集成的量子光源的研究。2009年，多倫多大學研制出來一個較好的光源，佟存柱的任務是進一步改善光源的性能。他通過一些理論上的設計，工藝上的改進，研制出單缺陷模式工作的布拉格反射波導光子晶體激光光源，實現了溫度不敏感的連續單缺陷模式工作，這在當時是一個相當高的性能。
佟存柱在深造的同時，也在不斷地尋找最適合自己的事業方向。他心里總有一種渴望，就是讓自己的才干直接為國家的發展貢獻力量。剛開始，他并不是做半導體研究的，在大學里所學的專業則是物理。然而，以他的聰明才智，完全能在基礎科學研究上有所建樹。但是，佟存柱卻有他自己的想法。他說，雖然純科學與技術都很重要，但是技術研究對市場、對社會進步的貢獻更直接一些，技術能更快的轉化成生產力，因此，他更愿意從事技術研究。
報效祖國是最大的愿望
佟存柱的科研能力得到了國外專家的肯定。他在國外的事業也得以順利發展，在生活上站住了腳跟，在科研上有了一席之地。并且，對于他這樣的研究人員，在國外有更好的發展環境和更廣闊的發展空間。佟存柱說，在國外的生活遠沒有像國內這樣緊張，生活更輕閑。如果是在國外，佟存柱會常有時間和家人、朋友一起度假，但現在，他卻是在實驗室加班加點地工作。是什么使他放棄國外的生活，義無反顧地回到國內？佟存柱笑著說，自己是思鄉情結比較濃郁的一類人，他總覺得，在國外做得再好，也是為自己，不是為國家；不過，這只是一方面，促使他回國的最重要的原因就是，在國外這幾年感覺到，中國發展非常快，中國的騰飛在21世紀是不可阻擋的，作為炎黃子孫，他希望自己能夠投身其中，親身經歷這個偉大的崛起。如果置身事外，那將是一個海外華人最大的遺憾。從技術發展的角度來說，未來的中國肯定會走在世界的前沿。“我回來以后沒有選擇去大城市，而是選擇到了長春，是因為我認為一個人的成就不是取決于在大城市還是小城市，幸福與成功都在于自己對生活和事業的經營。另一個重要的原因是中科院長春光機所給我的觸動，所里領導層的團結奮進、求真務實，以及對人才的重視，讓我感覺這是一個真正做事業的地方。”佟存柱如是說。
2010年，佟存柱放棄了國外舒適的工作環境，回國發展，來到中科院長春光機所。“所里的文化讓我的思想發生了很大轉變，我深刻意識到科研成果的表現形式不僅僅是文章、專利，更重要的是實實在在的為國家、社會、經濟有所貢獻的應用。”科學要變成生產力，必須要通過技術的渠道。這是長春光機所的理念與文化，也是佟存柱的科研驅動力。因此他目前所承擔的絕大多數項目都具有明確、具體的應用目的，追求的最終目標就是能“用上”。
“現在我國在基礎科學方面投入的力量是比較大的，但是在科研成果的轉化和技術的應用方面還存在著薄弱環節?！辟〈嬷蜗蟮乇扔髡f，“這好比是一場馬拉松，我們已經跑到了最后100米，就差一點就成功了，可是就停在那里不動了。這是非常令人遺憾的。我們做應用技術的，就是要解決應用技術的‘最后100米’的問題，使我們的科學技術能最終在國家經濟社會發展等方面派上用場?！?/p>
激光研究的豐碩成果
佟存柱目前從事的研究方向為光子晶體激光器。佟存柱告訴記者，光子晶體是一種特殊的光波導，它采用光子頻率帶隙原理進行導波，其原理類似于半導體中的能帶理論，通過它可以實現光的無損耗傳播、高品質激光諧振腔、高效率光限制等。目前光子晶體技術已經被認為是電磁波領域的一個重大突破，并正在光學、光電子學、信息科學等領域中引起革命性變革。
佟存柱團隊的研究側重于采用光子晶體波導改善半導體激光的發散角、光束質量和效率，而不僅僅是光子晶體本身。半導體激光器是目前應用最為廣泛的一種激光器，它具有體積小、重量輕、效率高、電驅動等特點。但也具有突出的缺點，主要是出光光斑呈橢圓形，垂直方向發散角高達45°，水平方向10°，無法良好地會聚，光束質量差，這成為了限制其應用的一個主要問題。雖然光束整形技術能夠有效改善光束質量，但它更多的是通過平衡兩個方向的光束質量因子，獲得一個近圓形光斑輸出。要想從根本上解決半導體激光器光束質量問題，還得從器件本身人手。
談到自己的研究成果，佟存柱自信地說，“現在我們對這個項目非?？春谩Ｎ覀円呀泴l散角降低到7.5度，圓形光束出光，在同等價格的情況下，我們的激光器在發散角性能上比現在市場上的性能要好的多，而且我們器件在性能上還有很大的改善空間。器件的核心結構已經獲得國家發明專利授權，這為該類技術擁有自主知識產權奠定了有力基礎。”
由于在激光研究領域的出色成績，2010年9月，佟存柱入選中科院“百人計劃”，2011年獲得吉林省創新創業人才計劃和吉林省人才開發基金資助。先后在IEEEJ.QuantumElectron，IEEEJ.Select，TopicsQuantumElectron，等期刊上發表學術論文50余篇，被SCI收錄24篇，EI收錄36篇，授權中國專利3項，受理中國發明專利申請5項。目前主持國家自然科學基金項目兩項，中科院“百人計劃”項目一項，中國科學院知識創新工程領域前沿項目一項，以及國家國際科技合作專項一項，并作為課題負責人負責國家重點基礎研究發展計劃項目子課題一項。
佟存柱進一步解釋到，“我們主要解決和面對實際應用中的重大技術問題，也正因此，一旦解決，前景很廣闊。下一步我們要在現有基礎上，把發散角進一步降低。這是本課題的重點，納入了中科院百人計劃。中科院現在提出一個定位，三個突破，五個培育，我們作為一個小的科研單元和個人，也要有所定位，有所突破。因此，我們科研組還擬定了高性能芯片的研究項目。比如研究更低閾值的半導體激光器，讓它稍微加一點電流就能發出激光來。這是剛獲國家批準的重大科技研究的課題項目。”
這個有什么用途呢？佟存柱告訴記者，“現在互聯網傳輸的信息太多了，信息傳輸中心需要布置大量的計算機，還有大型計算機等等，用電量高得驚人，有人就提出用光學的方法來處理信息，這就需要高質量的激光技術與設備，比如極低閾值激光器、單光子光源技術等，用電量很小，有一點點電就能發光。這也符合綠色節能環保的理念。目前，我國的一些科研機構正在研究量子通訊、量子計算技術，用于信息保密傳輸等，這方面已經取得了世界領先的進展。但是領域內缺少一種質量穩定可靠的單光子光源。這正是我們現有研究條件能夠去做的一件事，所以我們和他們合作，幫他們在做這個光源。另一方面就是能在國防戰略方面發揮很大作用的中紅外的光源。我們現在主要是要解決功率和光束質量這兩個問題。佟存柱說，現在我們的激光器總體上與發達國家的技術還有一些差距，但部分參數已經領先，我們有信心，隨著更多科技人才的加入，我們的技術水平會很快提升到一個新的水平。這些都是能夠彌補國內技術空白的內容，而且是國家急需的項目。
大功率的半導體激光器的應用范圍非常廣泛，比如說在國防、醫療、工業加工等多個領域，都可以用到我們研制出來的激光器。另外我們的技術還有一個好處，就是它是一種波導技術，不光可以用于一種增益介質，換一種發光材料，換一個波長也可以用。量子點材料和納米光子材料主要是朝向量子光學的方向發展，比如量子計算、保密通訊等等。量子點材料可以給他們提供光源。如果我們做集成設備，需要非常小的器件，納米光學器件就可以用來改善其性能。我們現在的工藝設備已經可以滿足這方面研究要求了?！?/p>
成功秘訣在永不言棄
談及科研道路上攀登的艱難。佟存柱感慨地講起他曾經遇到過的重重困難。對于科技工作者來說，最大的困難存在于設想與實現之間。往往設計的器件，做出來卻不是想象的那個樣子。比如說我們現在做的這個器件。在最初的時候，按照我們的設計，激光器的確是激射了，但是出來的東西并不是我們想要的。也就是說，我們設計的是一個模式，可是出來的卻是另外的一個模式在工作。問題到底出在哪里？我們反復計算也找不到根源。這個問題困擾了我們一段時間。但是我們沒有氣餒，晝思夜想，一直堅持查找，一個環節一個環節地過篩子，終于解決了困難。這也給我們提供了一個寶貴的經驗，就是正面地面對困難，堅持再堅持，不要自我否定，說這個肯定做不出來。我們可以跑得比別人慢，但是我們決不放棄。這就和打仗一樣，放棄就等于逃兵，放棄就意味著失敗。然而，就算你放棄了，問題還在那里，不會得到解決。只有白天想，晚上想，吃飯想，睡覺想，才會有那么一瞬間，靈光閃現，找到突破口?，F在科學技術已經高度發展了，某一領域短時間取得大的突破是很困難的，很有可能我們付出了極大的努力，只取得了一點點進展，但是這些小小的進展不斷地疊加起來，就會是很大的進步。他說，我們之所以能夠研制出技術領先的激光器，就是因為我們認準方向之后就踏踏實實地做，不浮躁、不跟風，不是盲目追隨所謂的熱點課題，真正的面對應用。
科研項目成功的背后，肯定有一個優秀的團隊。科學研究的每一個進展，都和團隊的通力合作分不開。佟存柱的團隊里目前有兩個博士，三個碩士，還有幾個研究人員。在組建的時候，佟存柱就根據他們的特長，給每個人確定了分工和發展方向，發展方向是互不沖突的，這給他們留下了足夠的發展空間。這能夠保證他們每個人都負責一個小的方向，同時還能夠互相合作。在管理上，團隊更是有一整套很細致的管理方案，團隊十分重視管理和培訓，力爭讓每一個人掌握研究所的工藝設計流程與技術。
佟存柱還吸取了國外的先進的管理理念，給團隊以足夠的交流時間。團隊每兩周都有定期的交流會，他們不光交流專業知識，還組織學習專業以外的知識，如時間管理、溝通技巧、成功學等。團隊還提供一些勵志的書、時間管理的書，幫助年輕學者樹立良好的思想情操和行為習慣，提高他們的全面素質，為他們今后的成長打下基礎。佟存柱強調說“為了建立年輕學者的時間觀念，我有意給他們定下精確的完成時間，要求必須按時完成，促使他們培養良好的時間管理習慣。有關專業知識是可以通過突擊補上來，但是思想方法與行為習慣，確實需要在平時多磨練?！?/p>