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        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志

        全年訂價(jià):¥220.00/年

        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志北大期刊統(tǒng)計(jì)源期刊

        Research & Progress of SSE Solid State Electronics

        同學(xué)科期刊級(jí)別分類 CSSCI南大期刊 北大期刊 CSCD期刊 統(tǒng)計(jì)源期刊 部級(jí)期刊 省級(jí)期刊

        • 雙月刊 出版周期
        • 32-1110/TN CN
        • 1000-3819 ISSN
        主管單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司
        主辦單位:南京電子器件研究所
        創(chuàng)刊時(shí)間:1981
        開本:A4
        出版地:江蘇
        語種:中文
        審稿周期:1-3個(gè)月
        影響因子:0.43
        被引次數(shù):85
        數(shù)據(jù)庫收錄:

        北大期刊(中國(guó)人文社會(huì)科學(xué)期刊)統(tǒng)計(jì)源期刊(中國(guó)科技論文優(yōu)秀期刊)知網(wǎng)收錄(中)維普收錄(中)萬方收錄(中)CA 化學(xué)文摘(美)JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日)國(guó)家圖書館館藏上海圖書館館藏

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        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志簡(jiǎn)介

        《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志是南京電子器件研究所主辦的全國(guó)性學(xué)術(shù)季刊,向國(guó)內(nèi)外公開發(fā)行。國(guó)內(nèi)統(tǒng)一刊號(hào):CN32-1110/TN,國(guó)際統(tǒng)一刊號(hào):ISSN1000-3819。面向21世紀(jì)固體物理和微電子學(xué)領(lǐng)域的創(chuàng)新性學(xué)術(shù)研究。刊登的主要內(nèi)容為:無機(jī)和有機(jī)固體物理、硅微電子、射頻器件和微波集成電路、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、納米技術(shù)、固體光電和電光轉(zhuǎn)換、有機(jī)發(fā)光器件(OLED)和有機(jī)微電子技術(shù)、高溫微電子以及各種固體電子器件等方面的創(chuàng)新性科學(xué)技術(shù)報(bào)告和學(xué)術(shù)論文,論文和研究報(bào)告反映國(guó)家固體電子學(xué)方面的科技水平。

        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志欄目設(shè)置

        本刊器件物理、射頻器件與電路、微電子學(xué)、光電子學(xué)、半導(dǎo)體材料。

        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志榮譽(yù)信息

        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志訂閱方式

        地址:南京1601信箱43分箱,郵編:210016。

        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志社投稿須知

        1.文章標(biāo)題:一般不超過300個(gè)漢字以內(nèi),必要時(shí)可以加副標(biāo)題,最好并譯成英文。

        2.作者姓名、工作單位:題目下面均應(yīng)寫作者姓名,姓名下面寫單位名稱(一、二級(jí)單位)、所在城市(不是省會(huì)的城市前必須加省名)、郵編,不同單位的多位作者應(yīng)以序號(hào)分別列出上述信息。

        3.提要:用第三人稱寫法,不以“本文”、“作者”等作主語,100-200字為宜。

        4.關(guān)鍵詞:3-5個(gè),以分號(hào)相隔。

        5.正文標(biāo)題:內(nèi)容應(yīng)簡(jiǎn)潔、明了,層次不宜過多,層次序號(hào)為一、(一)、1、(1),層次少時(shí)可依次選序號(hào)。

        6.正文文字:一般不超過1萬字,用A4紙打印,正文用5號(hào)宋體。

        7.?dāng)?shù)字用法:執(zhí)行GB/T15835-1995《出版物上數(shù)字用法的規(guī)定》,凡公元紀(jì)年、年代、年、月、日、時(shí)刻、各種記數(shù)與計(jì)量等均采用阿拉伯?dāng)?shù)字;夏歷、清代及其以前紀(jì)年、星期幾、數(shù)字作為語素構(gòu)成的定型詞、詞組、慣用語、縮略語、臨近兩數(shù)字并列連用的概略語等用漢字?jǐn)?shù)字。

        8.圖表:文中盡量少用圖表,必須使用時(shí),應(yīng)簡(jiǎn)潔、明了,少占篇幅,圖表均采用黑色線條,分別用阿拉伯?dāng)?shù)字順序編號(hào),應(yīng)有簡(jiǎn)明表題(表上)、圖題(圖下),表中數(shù)字應(yīng)注明資料來源。

        9.注釋:是對(duì)文章某一特定內(nèi)容的解釋或說明,其序號(hào)為①②③……,注釋文字與標(biāo)點(diǎn)應(yīng)與正文一致,注釋置于文尾,參考文獻(xiàn)之前。

        10.參考文獻(xiàn):是對(duì)引文作者、作品、出處、版本等情況的說明,文中用序號(hào)標(biāo)出,詳細(xì)引文情況按順序排列文尾。以單字母方式標(biāo)識(shí)以下各種參考文獻(xiàn)類型:普通圖書[M],會(huì)議論文[C],報(bào)紙文章[N],期刊文章[J],學(xué)位論文[D],報(bào)告[R],標(biāo)準(zhǔn)[S],專利〔P〕,匯編[G],檔案[B],古籍[O],參考工具[K]。

        11.基金資助:獲得國(guó)家基金資助和省部級(jí)科研項(xiàng)目的文章請(qǐng)注明基金項(xiàng)目名稱及編號(hào),按項(xiàng)目證明文字材料標(biāo)示清楚.

        12.作者簡(jiǎn)介:第一作者姓名(出生年月-),性別,民族(漢族可省略),籍貫,現(xiàn)供職單位全稱及職稱、學(xué)位,研究方向。

        13.其他:請(qǐng)勿一稿兩投,并請(qǐng)自留原稿,本刊概不退稿,投寄稿件后,等待審查。審查通過編輯部會(huì)通知您一般雜志社審核時(shí)間是1-3個(gè)月:如果要是到我中心給你論文代發(fā)請(qǐng)?jiān)敿?xì)看。

        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志范例

        RF等離子輔助熱絲CVD法制備大面積β-SiC薄膜

        注入同步鎖相環(huán)式時(shí)鐘恢復(fù)電路MMIC的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)

        組合式非周期缺陷接地結(jié)構(gòu)中FDTD應(yīng)用研究

        一種X波段GaAs單片單刀雙擲開關(guān)

        與HBT工藝兼容的新型負(fù)阻器件的研制與分析

        HBT小信號(hào)等效電路參數(shù)解析提取

        HfO_2/TaON疊層?xùn)沤橘|(zhì)GepMOSFET制備及遷移率退化研究

        基于量子元胞自動(dòng)機(jī)的奇偶校驗(yàn)系統(tǒng)分塊設(shè)計(jì)

        基于碳納米管宏觀體的熱線式流速探針

        三終端量子環(huán)的透射概率和概率流密度

        應(yīng)變Si/(001)Si1-xGex價(jià)帶結(jié)構(gòu)

        超薄HfN界面層對(duì)HfO_2柵介質(zhì)GepMOSFET電性能的改進(jìn)

        四終端量子環(huán)自旋輸運(yùn)的性質(zhì)

        應(yīng)變Si(100)態(tài)密度模型

        橫向接觸式RFMEMS開關(guān)

        一種低功耗自動(dòng)頻率修正的復(fù)數(shù)濾波器設(shè)計(jì)

        一款應(yīng)用于GPS接收機(jī)的抗失配零中頻混頻器

        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志數(shù)據(jù)信息

        影響因子和被引次數(shù)

        雜志發(fā)文量

        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志發(fā)文分析

        主要資助課題分析

        資助課題 涉及文獻(xiàn)
        江蘇省“六大人才高峰”高層次人才項(xiàng)目(DZXX-053) 8
        國(guó)家自然科學(xué)基金(60371029) 8
        國(guó)家自然科學(xué)基金(60506012) 8
        國(guó)家自然科學(xué)基金(60776016) 8
        中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金(JUSRP51323B) 8
        國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(2009AA011605) 7
        北京市人才強(qiáng)教計(jì)劃項(xiàng)目(05002015200504) 7
        國(guó)家自然科學(xué)基金(69736020) 7
        國(guó)家自然科學(xué)基金(61106130) 7
        國(guó)防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金(9140C1402021102) 6

        主要資助項(xiàng)目分析

        資助項(xiàng)目 涉及文獻(xiàn)
        國(guó)家自然科學(xué)基金 823
        國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃 147
        國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃 113
        江蘇省自然科學(xué)基金 68
        中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金 50
        國(guó)家科技重大專項(xiàng) 47
        國(guó)家教育部博士點(diǎn)基金 44
        福建省自然科學(xué)基金 26
        國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開放基金 24
        河北省自然科學(xué)基金 24
        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志

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