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        半導體光電雜志

        全年訂價:¥280.00/年

        半導體光電雜志北大期刊統計源期刊

        Semiconductor Optoelectronics

        同學科期刊級別分類 CSSCI南大期刊 北大期刊 CSCD期刊 統計源期刊 部級期刊 省級期刊

        • 雙月刊 出版周期
        • 50-1092/TN CN
        • 1001-5868 ISSN
        主管單位:中國電子科技集團有限公司
        主辦單位:重慶光電技術研究所
        創刊時間:1976
        開本:A4
        出版地:重慶
        語種:中文
        審稿周期:1-3個月
        影響因子:0.87
        被引次數:167
        數據庫收錄:

        北大期刊(中國人文社會科學期刊)統計源期刊(中國科技論文優秀期刊)知網收錄(中)維普收錄(中)萬方收錄(中)CA 化學文摘(美)JST 日本科學技術振興機構數據庫(日)國家圖書館館藏上海圖書館館藏

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        半導體光電雜志簡介

        《半導體光電》雜志是專業技術性刊物。刊載半導體光電器件、光通信系統和光傳輸、光存貯、光計算、處理技術,以及攝像、傳感、遙感等方面的研究成果、學術論文、學位論文和工作報告,介紹光學、光子學、量子電子學、光電子學領域的新材料、新結構、新工藝、新器件,報道國內外該領域的研究和發展方向。讀者對象為半導體光電專業的科技人員和大專院校師生。

        半導體光電雜志欄目設置

        本刊動態綜述、光電器件、材料、結構及工藝、光通信、光電技術應用。

        半導體光電雜志榮譽信息

        半導體光電雜志訂閱方式

        地址:重慶市南岸區南坪花園路14號,郵編:400060。

        半導體光電雜志社投稿須知

        1.來稿要求論點明確、數據可靠、邏輯嚴密、文字精煉,每篇論文必須包括題目、作者姓名、作者單位、單位所在地及郵政編碼、摘要和關鍵詞、正文、參考文獻和第一作者及通訊作者(一般為導師)簡介(包括姓名、性別、職稱、出生年月、所獲學位、目前主要從事的工作和研究方向),在文稿的首頁地腳處注明論文屬何項目、何基金(編號)資助,沒有的不注明。

        2.論文摘要盡量寫成報道性文摘,包括目的、方法、結果、結論4方面內容(100字左右),應具有獨立性與自含性,關鍵詞選擇貼近文義的規范性單詞或組合詞(3~5個)。

        3.文稿篇幅(含圖表)一般不超過5000字,一個版面2500字內。文中量和單位的使用請參照中華人民共和國法定計量單位最新標準。外文字符必須分清大、小寫,正、斜體,黑、白體,上下角標應區別明顯。

        4.文中的圖、表應有自明性。圖片不超過2幅,圖像要清晰,層次要分明。

        5.參考文獻的著錄格式采用順序編碼制,請按文中出現的先后順序編號。所引文獻必須是作者直接閱讀參考過的、最主要的、公開出版文獻。未公開發表的、且很有必要引用的,請采用腳注方式標明,參考文獻不少于3條。

        6.來稿勿一稿多投。收到稿件之后,5個工作日內審稿,電子郵件回復作者。重點稿件將送同行專家審閱。如果10日內沒有收到擬用稿通知(特別需要者可寄送紙質錄用通知),則請與本部聯系確認。

        7.來稿文責自負。所有作者應對稿件內容和署名無異議,稿件內容不得抄襲或重復發表。對來稿有權作技術性和文字性修改,雜志一個版面2500字,二個版面5000字左右。作者需要安排版面數,出刊日期,是否加急等情況,請在郵件投稿時作特別說明。

        8.請作者自留備份稿,本部不退稿。

        9.論文一經發表,贈送當期樣刊1-2冊,需快遞的聯系本部。

        10.請在文稿后面注明稿件聯系人的姓名、工作單位、詳細聯系地址、電話(包括手機)、郵編等信息,以便聯系有關事宜。

        半導體光電雜志范例

        GaN基MSM結構紫外探測器光響應特性

        兩基色白光LED的光視效能的研究

        1.55μmDFBLD光柵結構的優化設計

        用于紅外探測的非晶硅薄膜晶體管

        Er3+/Yb3+共摻磷酸鹽光纖放大器增益分析新模型

        光伏型光電探測器漂移-擴散模型的改進

        集成光波導微應力傳感器研究

        數字光電耦合器隔離性能及動態特性測試儀

        MEMS封裝用局部激光鍵合法及其實現

        InGaAs/InAlAs蓋帽層對InAs自組裝量子點發光性質的影響

        超晶格量子阱的溝道效應與光學雙穩態效應

        摻銻二氧化錫薄膜的噴霧熱解法制備與熱處理

        銦對GaN基激光器晶體質量的影響

        Ag/S/C共摻雜納米TiO2的制備與光催化活性

        可溶性PMOTOPV的合成及其光致發光性能

        二次退火對p型GaN的應變影響

        圓片直接鍵合界面表面能測試研究

        半導體光電雜志數據信息

        影響因子和被引次數

        雜志發文量

        半導體光電雜志發文分析

        主要資助課題分析

        資助課題 涉及文獻
        重慶市自然科學基金(2010BB2409) 16
        國家自然科學基金(90104003) 12
        重慶市教委科研基金(KJ110519) 10
        國家重點基礎研究發展計劃(2006CB604902) 10
        國家自然科學基金(61377088) 10
        國家自然科學基金(90304004) 10
        國家重點基礎研究發展計劃(2003CB314905) 9
        國家自然科學基金(60506012) 9
        國家自然科學基金(60678018) 9
        教育部“新世紀優秀人才支持計劃”(NCET-10-0583) 9

        主要資助項目分析

        資助項目 涉及文獻
        國家自然科學基金 1550
        國家高技術研究發展計劃 315
        國家重點基礎研究發展計劃 213
        重慶市自然科學基金 71
        國家教育部博士點基金 70
        中央高校基本科研業務費專項資金 63
        教育部“新世紀優秀人才支持計劃” 52
        重慶市教委科研基金 48
        重慶市教育委員會科學技術研究項目 47
        廣東省自然科學基金 45
        半導體光電雜志

        半導體光電雜志

        價格訂閱:¥280.00/1年 發行周期:雙月刊 紙張開本:A4

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